Leistungsgleichrichterdioden
PowerRectifierDiodes
D798 N
VWKJuly1996
Kathode
Cathode
Anode
beidseitig/on bothsides
ø
30
ø
30
2
ø3,5x2tief/depth
+0.1
European Power-
Semiconductorand
Electronics Company
GmbH+Co.KG
D 798 N
Elektrische EigenschaftenElectrical properties
Höchstzulässige WerteMaximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltagetvj = -40°C... tvj maxVRRM800, 1200 V
1400, 1800 V
Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltagetvj = +25°C... tvj maxVRSM = VRRM+ 100 V
Durchlaßstrom-GrenzeffektivwertRMS forward current IFRMSM1650 A
Dauergrenzstrom mean forward current tc = 130 °CIFAVM800 A
tc = 106 °C1050 A
Stoßstrom-Grenzwertsurge forward current tvj = 25°C, tp = 10 msIFSM14,8kA
tvj = tvj max, tp = 10 ms11,8kA
GrenzlastintegralI2t-valuetvj = 25°C, tp = 10 msI2t1095 kA2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms696 kA2s
Charakteristische WerteCharacteristic values
Durchlaßspannung on-state voltagetvj = tvj max, iF = 3,2 kA VTmax. 1,77 V
Schleusenspannung threshold voltagetvj = tvj maxVT(TO)0,81 V
Ersatzwiderstand slope resistancetvj = tvj maxrT0,28 mΩ
Sperrstromreverse current tvj = tvj max, VR = VRRMiRmax. 50 mA
Thermische EigenschaftenThermal properties
Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sinRthJCmax. 0,0460 °C/W
to casebeidseitig/two sided, DC max. 0,0415 °C/W
Anode/anode,Θ =180° sinmax. 0,0755 °C/W
Anode/anode, DC max. 0,0710 °C/W
Kathode/cathode,Θ =180° sinmax. 0,1045 °C/W
Kathode/cathode, DC max. 0,1000 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance,case to heatsinkbeidseitig /two-sidedRthCKmax. 0,0075 °C/W
einseitig /single-sidedmax. 0,0150 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperaturmax. junction temperaturetvj max180 °C
Betriebstemperaturoperating temperaturetc op -40...+150 °C
Lagertemperaturstorage temperaturetstg -40...+150 °C
Mechanische EigenschaftenMechanical properties
Si-Element mit DruckkontaktSi-pellet with pressure contact∅ = 30 mm
Anpreßkraftclamping forceGehäuseform/case design TF6...15 kN
GewichtweightGtyp. 110 g
Kriechstreckecreepage distance25 mm
Feuchteklassehumidity classificationDIN 40040 C
Schwingfestigkeitvibration resistancef = 50 Hz50 m/s2
MaßbildoutlineSeite/page
0
0
0,5 1,0 1,5 2,0
D798N_1
2,5
5
4
3
2
1
0 1 2 3 4 5 6
D798N_4
00,10,20,3
D798N_5
1a
1b
2a
1c
2b
2c
00,10,20,3
1a
2a
1b
1c
2b
2c
D798N_6
14
12
10
8
6
4
2
0
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
16
14
12
10
8
6
4
78 9 10
[kA]
I
F(0V)M
I
F(0V)M
[kA]
(normiert)
i²dt
⌠
⌡
IF(0V)M v
R
I
F(0V)M
v
R
t [s]
v
F
[V]
t [s]
[kA]
iF
t[
m
s]
p
Bild/Fig.2
NormiertesGrenzlastintegral/Normalized i²t
∫
i²dt=f(t
p
)
t
vj
=180 °C
t
vj
=25 °C
Bild/Fig.1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forwardcharacteristici
F
=f(v
F
)
Bild/Fig.3
Grenzstrom/Maximumoverload forwardcurrent I
F(0V)M
=f(t)
1-I
FAV(vor)
=0A; t
vj
=t
C
=25 °C
2-I
FAV(vor)
=800 A; t
C
=130 °C; t
vj
=180 °C
a-v
R
≤
50 V
b-v
R
=0,5V
RRM
c-v
R
=0,8V
RRM
Bild/Fig.4
Grenzstrom/Maximumoverload forwardcurrent I
F(0V)M
=f(t)
1-I
FAV(vor)
=0A; t
vj
=t
C
=25 °C
2-I
FAV(vor)
=800 A; t
C
=130 °C; t
vj
=180 °C
a-v
R
≤
50 V
b-v
R
=0,5V
RRM
c-v
R
=0,8V
RRM
D798 N
0
30 60 90 120 150 180
0,04
0,02
0,03
0,01
D798N_3
10
3
10
2
D798N_7
110 100
0,1
400
200
100
50
9
8
7
6
5
4
3
2
9
8
7
6
5
4
3
2
1600
800
i
FM
[A]
0
D798N_2
1
2
3
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
10
-3
10
-2
10
-1
100101102
104
T
Θ
Θ
T
[
µ
As]
Qr
Z
(th)JC
[°C/W]
[°C/W]
thJC
∆
R
-di
F
/dt
[A/
µ
s]
t [s]
Θ
[°el]
T
Θ
Bild/Fig.5
Differenz zwischen denWärmewiderständen
fürPulsstromund DC
Differencebetweenthevaluesof thermalresistancefor
pulsecurrentand DC
Parameter:Stromkurvenform/Currentwaveform
Bild/Fig.6
Sperrverzögerungsladung /RecoveredchargeQ
r
=f(-di
F
/dt)
t
vj=
t
vjmax
;v
R
≤
0,5V
RRM
;V
RM
=0,8V
RRM
Beschaltung /Snubber:C=0,68 µF;R=5,6
Ω
Parameter:Durchlaßstrom/Forwardcurrenti
FM
nmax
n=1
AnalytischeElementedestransientenWärmewiderstandesZ
thJC
fürDC
Analyticalelementsoftransient thermal impedanceZ
thJC
forC
Bild/Fig.7
TransienterinnererWärmewiderstand
Transient thermal impedanceZ
thJC
=f(t),DC
1-BeidseitigeKühlung /Two-sidedcooling
2-AnodenseitigeKühlung /Anode-sidedcooling
3-KathodenseitigeKühlung /Cathode-sidedcooling
Z
thJC
=R
thn
(1-EXP(-t/
τ
n
))
Σ
D798 N
Kühlg.
Cooling Pos.
n
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
1
2
3
1234567
1-BeidseitigeKühlung /Two-sidedcooling
2-AnodenseitigeKühlung /Anode-sidedcooling
3-KathodenseitigeKühlung /Cathode-sidedcooling
0,00031
0,000136
0,0006
0,000232
0,000598
0,000234
0,00579
0,00233
0,0055
0,002548
0,005532
0,00257
0,0114
0,0462
0,0055
0,027467
0,00457
0,0278
0,024
0,298
0,0223
0,152979
0,0184
0,118
0,0371
3,870018
0,0709
2,822
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