Semiconductor Group 1 1997-11-19
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
●Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
●geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-
Reflow-Löten
●SMT-fähig
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●IR-Fernsteuerungen
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
●Short switching time (typ. 20 ns)
●Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
●Suitable for SMT
Applications
●Photointerrupters
●IR remote controls
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
BP 104 S Q62702-P1605
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode
New: Silicon PIN Photodiode BP 104 S
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
4.5
4.3
4.0
3.7 1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
GEO06861
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
Chip position
0...5˚
0.2
0.1
1.1
0.9
2.20 mm x 2.20 mm
1.6
0...0.1
±0.2
feo06862
BP 104 S
Semiconductor Group 2 1997-11-19
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 85 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR20 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit VR = 5 V
Spectral sensitivity S55 (≥ 40) nA/lx
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ400 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A4.84 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.20 ×2.20 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.3 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ= 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 A/W
Quantenausbeute, λ= 850 nm
Quantum yield η0.90 Electrons
Photon
BP 104 S
Semiconductor Group 3 1997-11-19
Leerlaufspannung, EV= 1000 lx
Open-circuit voltage VO360 (≥ 280) mV
Kurzschlußstrom, EV= 1000 lx
Short-circuit current ISC 50 µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf20 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C048 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TKV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TKI0.18 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V, λ = 850 nm
NEP 3.6 ×10–14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 6.1 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BP 104 S
Semiconductor Group 4 1997-11-19
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Dark current
IR=f (VR), E = 0
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ev)
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation Ptot =f (TA)
Dark current
IR=f (TA), VR= 10 V, E = 0
λ
OHF00078
0
rel
S
400
20
40
60
80
%
100
500 600 700 800 900 nm 1100
OHF02284
V
R
Ι
R
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
2 4 6 8 10 12 14 16 V 20
lx
3
10
O
V
P
Ι
mVA
µ
V
0
10
10
1
10
2
10
3
10
43
10
2
10
1
10
0
10
4
10
2
10
1
10
10
-1
Ι
P
10
0
V
OHF02283
E
V
OHF01778
R
-2
10
C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
0
10
20
30
40
50
pF
60
T
OHF00958
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
