Semiconductor Group 223
BPX 43
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor BPX 43
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
BPX43 Q62702-P16
BPX 43-2 Q62702-P16-S2
BPX 43-3 Q62702-P16-S3
BPX 43-4 Q62702-P16-S4
BPX 43-5 Q 62702-P16-S5
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1100 nm
●Hohe Linearität
●Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C
●Gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
●High linearity
●Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125 °C
●Available in groups
Applications
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
fmof6019
10.95
BPX 43
Semiconductor Group 224
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 125 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t≤ 3 s
TS300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 50 V
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 200 mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage VEB 7V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 220 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 450 K/W
Semiconductor Group 225
BPX 43
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 880 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ450 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A0.675 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W1×1mm× mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H2.4 ... 3.0 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±15 Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2,VCB = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCB = 5 V
IPCB
IPCB
11
35 µA
µA
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E= 0
VCB = 0 V, f = 1 MHz, E= 0
VEB = 0 V, f = 1 MHz, E= 0
CCE
CCB
CEB
23
39
47
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 25 V, E= 0
ICEO 20 (≤300) nA
BPX 43
Semiconductor Group 226
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
-2 -3 -4 -5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
IPCE
IPCE
0.8 ... 1.6
3.8 1.25 ... 2.5
6.0 2.0 ... 4.0
9.5 ≥3.2
15.0 mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
tr, tf9121518µs
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat 200 220 240 260 mV
Stromverstärkung
Current gain
Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
IPCE
IPCB
110 170 270 430
Semiconductor Group 227
BPX 43
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Output characteristics
IC = f (VCE), IB= Parameter
Photocurrent
IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
Photocurrent
IPCE =f (Ee), VCE = 5 V
Output characteristics
IC = f (VCE), IB= Parameter
Dark current
ICEO/ICEO25o=f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Dark current
ICEO =f (VCE), E = 0
Collector-emitter capacitance
CCE =f (VCE), f= 1 MHz, E = 0
BPX 43
Semiconductor Group 228
Collector-base capacitance
CCB =f (VCB), f= 1 MHz, E = 0 Emitter-base capacitance
CEB =f (VEB), f= 1 MHz, E = 0
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
