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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D 471N
BIP AC / SM PB, 2003-05-27, Schneider / Keller 1/8
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max V
RRM 8000
9000
8500 V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 1200 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
TC = 60 °C
IFAVM 565
760
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM 11000
10000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 605
500
10³ A²s
10³ A²s
Spitzensperrverlustleistung
surge reverse power dissipation
Tvj = 25 °C, tP = 20 µs
Tvj = Tvj max, tP = 20 µs
PRSM 200
220
10³ W
10³ W
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 1200 A
vF
typ.
max.
3,0
3,2
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
max.
0,96
1,04
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T typ.
max.
1,7
1,8
mΩ
mΩ
A 0,823
B 0,001166
C -0,05184
typ.
D 0,03313
A 0,729
B 0,001105
C -0,03464
Durchlaßkennlinie 200A ≤ iF ≤ 1600A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
max.
D 0,03967
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM i
R max. 50 mA
prepared by: C. Schneider date of publication: 21.04.2006
approved by: J. Przybilla revision: 6
F
FFF iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
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Rectifier Diode
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Qr max. 6 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
IRM max. 200 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Qr typ. 4,2 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
IRM typ. 150 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,0315
0,028
0,054
0,058
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,006
0,012
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 160 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+160 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
38DNE90
Anpresskraft
clamping force
F 10...16 kN
Gewicht
weight
G typ. 250 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
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Maßbild
12
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,01316 0,00706 0,00552 0,00225 0,00001
beidseitig
two-sided τn [s] 0,636 0,0967 0,016 0,00428 0,0003
Rthn [°C/W] 0,04142 0,00142 0,009 0,00558 0,00058
anodenseitig
anode-sided τn [s] 3,22 0,256 0,079 0,0092 0,00239
Rthn [°C/W] 0,03514 0,0038 0,00823 0,00547 0,00136
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 4,17 0,378 0,086 0,0117 0,00354
Analytische Funktion / Analytical function: Σ−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
bi
ci
ai
0
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
0,07
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth JC [K/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
typ. max.
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
00,511,522,533,544,5
vF [V]
iF [A]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Tc beidseitig
VR = 1000V
max .
VR = 100V
typ.
0
2
4
6
8
10
12
010203040
-di/dt [A/µs]
Qr [mAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, C = 0,22µF, R = 83Ω
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Ta bei Sinus
VR = 1000V
max .
VR = 100V
typ.
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
010203040
-di/dt [A/µs]
IRM [A]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, C = 0,22µF, R = 83Ω
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