BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group 350
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
0.7 ×2.2 0.7 ×2.2 mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.5 0.5 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR10 (≤ 100) 10 (≤ 100) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
λ = 850 nm
λ = 950 nm Sλ
Sλ
0.55
––
0.65 A/W
Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit
der Systeme vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
∆S±5±5%
Quantenausbeute
Quantum yield
λ = 850 nm
λ = 950 nm η0.8
––
0.95
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
VO
VO
330 (≥ 280)
–
–
300 (≥ 280)
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e = 0.5 mW/cm2, l = 950 nm
ISC
ISC
24
–
–
7
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 20 µA
tr,tf500 500 ns
Durchlaßspannung, IF= 40 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kennwerte (TA = 25 °C) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BPX 48 BPX 48 F