D50XB80-7000 - Shindengen - Product.Network

Bridge Diode

■外観図 OUTLINE

98 （J534）

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS

4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH

5FSNJOBM$POOFDUJPOu

特長

大容量シングルインライン型

Large

o Single In-line Package

D50XB80

800V 50A

Package：TSB-4PIN Unit:mm

Weight:22g（typ.）

＋〜〜−

①②④⑤

①② ④⑤

管理番号（例）

ControlNo.

品名

TypeNo.

ロット記号（例）

Datecode

D50XB 80

SHINDENGEN

0264

＋〜〜 −

45.7

7.5

■定格表 RATINGS

℃

V

A



A

A2s

kV

N・m 

V

μA

℃/W

●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings

（

指定のない場合はTc=25℃／unlessotherwisespeci

項目

Item

記号

Symbol

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

電流二乗時間積

Current Squared Time

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

Tstg

Tj

VRM

IO

IFSM

I2t

Vdis

TOR

VF

IR

θjc

θja

50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，

一素子当たりの規格値，Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value,

per diode，Tj=25℃

一括端子・ケース間，AC１分間印加

モールド部上面（端子と平行面）は除く

Terminals to Case, AC 1 minute

Except top（opposite side of the terminal side）of the mold case.

（推奨値：1.2N・m）

（Recommended torque : 1.2 N・m）

50Hz正弦波，抵抗負荷

50Hz sine wave, Resistance load

フィン付き

With heatsink Tc = 95℃

Ta = 26℃

フィンなし

Without heatsink

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

接合部・ケース間

Junction to Case

接合部・周囲間

Junction to Ambient

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

IF=25A,

VR=800V,

●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合はTc=25℃／unlessotherwisespeci

 MAX1.05

 MAX10

 MAX0.5

 MAX16

−40〜150

150

800

50.0

4.6

600

1800

2.0

1.5

絶縁耐圧

Dielectric Strength

締め付けトルク

Mounting Torque

1ms≦t＜10ms，

条件

Conditions

品名

TypeNo. 単位

Unit

D50XB80

１素子当たりの規格値

per diode

）

•薄型S

IP パッケージ

•ULE142422

• 高耐圧・高 IFSM

• 大電流容量

• 高放熱伝導性

•Thin-SIP

•ULE142422

•HighVoltage・LargeIFSM

•LargeIo

•HighThermalRadiation

Feature