Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 452 K
VWK July 1996
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
A A
15,5
Silicontube
E-Cu-rope 70mm²
Type
N
K
Cathode
Rope
Case
Anode
Case
Rope
Prot. flex.
tubing
red
blue
Circuit
symbol
http://store.iiic.cc/
D 452 K
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... tvj max VRRM 800, 1200 V
1400, 1800 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C... tvj max VRSM = VRRM + 100 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM 710 A
Dauergrenzstrom mean forward current tc = 130 °C IFAVM 450 A
Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 13,5 kA
tvj = tvj max, tp = 10 ms 10,8 kA
Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t911,25 kA2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms 583,2 kA2s
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iF = 1,35 kA VTmax. 1,48 V
Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 0,77 V
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT0,48 mΩ
Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, VR = VRRM iRmax. 50 mA
Thermische Eigenschaften Thermal properties
Innerer Widerstand thermal resistance, junction Θ = 180° sin RthJC max. 0,0855 °C/W
to case DC max. 0,0810 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink
ohne Anschlußlasche/without contact lug RthCK max. 0,016 °C/W
mit Anschlußlasche/with contact lug max. 0,026 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 180 °C
Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+180 °C
Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment tightening torque Gehäuseform/case design E F5,5 kN
Gewicht weight Gtyp. 560 g
Kriechstrecke creepage distance 14 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s2
Maßbild outline Seite/page
Polarität polarity Kathode=Gehäuse/case
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00 0,5 1,0 1,5 2,0
2,0
1,5
1,0
0,5
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
00,10,20,3
1a
2a
1b
1c
2b
2c
0
14
12
10
8
6
4
2
00,10,2 0,3
2a
1c
2b
2c
1a
1b
+
14
12
10
8
6
4
2
0
D452K_1 D452K_4
D452K_6D452K_5
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
[kA]
I
F(0V)M
IF(0V)M
[kA]
(normiert)
i²dt
⌠
⌡
I
F(0V)M
v
R
I
F(0V)M
v
R
t
[s]
vF[V]
t
[s]
[kA]
iF
t[ms]
p
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
∫i²dt = f(tp)
tvj = 180 °C
tvj = 25 °C
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic iF = f (vF)
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 450 A; tC = 130 °C; tvj = 180 °C
a - vR ≤ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 450 A; tC = 130 °C; tvj = 180 °C
a - vR ≤ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
D 452 K
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030 60 90 120 150 180
0,04
0,02
T
Θ
Θ
T
103
102
10
4
110 100
0,1
400
200
100
50
9
8
7
6
5
4
3
2
9
8
7
6
5
4
3
2
i
FM
[A]
1600
800
0
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
10-310-210-1100101102
D452K_3 D452K_7
D452K_2
[
µ
As]
Qr
Z(th)JC
[°C/W]
[°C/W]
thJC
∆
R
-diF
/dt
[A/
µ
s]
t [s]
Θ
[°el]
T
Θ
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt)
tvj = tvjmax; vR ≤ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Beschaltung / Snubber: C = 0,68 µF; R = 5,6 Ω
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
n=1
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
ZthJC = Rthn(1-EXP(-t/τn))
Σ
Pos. n
Rthn °C/W
τn [s]
1 2 3 4 5 6 7
D 452 K
0,00059
0,000231 0,00531
0,00252 0,0056
0,0251 0,021
0,175 0,0248
1,269 0,0237
6,262
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