1
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
CR152AY-24
大電力インバータ用
スタッド形
CR152AY-24 外形図 単位:mm
用 途
インバータ、DCチョッパ
¡IT(AV) 平均オン電流 ………………………… 150A
¡VDRM ピーク繰返しオフ電圧 ……………… 1200V
¡tqターンオフ時間 ……………………… 15µs
¡スタッド形
(下面図)
φ3.7±0.2
陽極
形名
M12×1.5
φ28max
(35)
16.0±3.0 陰極
φ7.1±0.3
31.6
+ 0.2
– 0.5
200.9±3.0
39max
17±0.5
11min
80max
シュリンク
  スリーブ(黒)
絶縁スリーブ
ゲート(白)
補助陰極端子(赤)
絶縁スリーブ(赤)
商用周波数,正弦半波180度連続通電,Tc = 87°C
60Hz正弦半波1サイクル波高値,非繰返し
1サイクルサージオン電流に対する値
VD = 1/2VDRMIGM = 1.0ATj = 125°C
推奨値15.5
標準値
IT(RMS)
IT(AV)
ITSM
I2t
diT/dt
PFGM
PFG(AV)
VFGM
VRGM
IFGM
Tj
Tstg
記 号
VRRM
VRSM
VR(DC)
VDRM
VDSM
VD(DC)
ピーク繰返し逆電圧
ピーク非繰返し逆電圧
直流逆電圧
ピーク繰返しオフ電圧
ピーク非繰返しオフ電圧
直流オフ電圧
項    目
V
V
V
V
V
V
最大定格
耐  圧  ク  ラ  ス
A
A
A
A2s
A/µs
W
W
V
V
A
°C
°C
Nm
g
記 号 項    目 条    件 単位定  格  値
235
150
4000
6.6 × 104
100
16
3
10
5
4
–40 ~ +125
–40 ~ +150
14 ~ 17
200
実効オン電流
平均オン電流 
サージオン電流
電流二乗時間積
臨界オン電流上昇率
ピークゲート損失
平均ゲート損失
ピークゲート順電圧
ピークゲート逆電圧
ピークゲート順電流
接合温度
保存温度
締付トルク強度
質量
単位
24
1200
1300
960
1200
1200
960
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2
Tj = 125°CVRRM 印加
Tj = 125°CVDRM 印加
Tj = 125°CITM = 500A,瞬時測定
Tj = 125°CVD = 1/2VDRM
Tj = 25°CVD = 6VRL = 2
Tj = 125°CVD = 1/2VDRM
Tj = 25°CVD = 6VRL = 2
ITM = 150Adi/dt = 12.5A/µsVR = 100V
VD = 1/2VDRMdv/dt = 20V/µsTj = 125°C
接合−ケース間
ケース−フィン間,グリース塗布
IRRM
IDRM
VTM
dv/dt
VGT
VGD
IGT
Rth(j-c)
Rth(c-f)
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
CR152AY-24
大電力インバータ用
スタッド形
逆電流
オフ電流
オン電圧
臨界オフ電圧上昇率
ゲートトリガ電圧
ゲート非トリガ電圧
ゲートトリガ電流
熱抵抗
接触熱抵抗
mA
mA
V
V/µs
V
V
mA
°C/W
°C/W
300
0.20
記 号 項    目 測 定 条 件 規  格  値
最 小 標 準 最 大 単位
25
25
1.95
2.0
100
0.13
0.075
電気的特性
定格特性図
tqターンオフ時間
101
102
2
3
5
7
103
2
3
5
7
104
2
3
5
7
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Tj = 125°C
0
0.02
0.04
0.06
0.16
0.10
0.12
0.14
103
2
102
357 2
101
357 2
100
357
100
2
101
357 2
102
357
0.08
100
23
101
57
102
23 57
103
23 57
104
102
7
5
3
2
101
7
5
3
2
7
5
3
2
101
VFGM = 10V PFGM = 16W
VGT = 2V
VGD = 0.2V
IFGM = 4A
IGT = 100mA
PFG(AV) = 3W
オン電流 (A)
オン電圧 (V)
最大オン状態特性
過渡熱インピーダンス (°C/W)
時間 (s)
最大過渡熱インピーダンス特性
(接合−ケース間)
ゲート電圧 (V)
ゲート電流 (mA)
ゲート特性
サージオン電流 (A)
通電時間
(60Hzにおけるサイクル数)
定格サージオン電流
0
1000
500
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
100101
23 57
102
23 57
µs
15
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3
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
CR152AY-24
大電力インバータ用
スタッド形
0
100
200
300
400
500
0 50 100 150 200 250
360°
抵抗,誘導負荷
θ
θ= 30°
60°90°
120°180°
270°
DC
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0 40 80 120 16020 60 100 140
θ
360°
抵抗,誘導負荷
θ= 30°60°90°120°180°
60
70
80
90
100
110
120
130
140
0 50 100 150 200 250
360°
抵抗,誘導負荷
θ
θ= 30°60°90°120°180°270°DC
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0 20 40 60 80 100 120 140 160
θ= 30°
60°90°
180°
120°
θ
360°
抵抗,誘導負荷
ケース温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
(単相半波)
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
(方形波)
ケース温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
(方形波)
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
(単相半波)
 1パルス当りの平均損失 P
1
W/回)
ピークオン電流 I
TM
(A)
1パルス当りの平均損失−ピークオン電流
(正弦半波)
 1パルス当りの平均損失 P
1
W/回)
ピークオン電流 I
TM
(A)
1パルス当りの平均損失−ピークオン電流
(方形波)
10
2
10
1
2
3
5
7
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
1
2
10
2
357 2
10
3
357 2
10
4
357
Pav = P1×f
1/f
tw
VAK, iA
ITM VD
0
+
t
VR
パルス幅
tw= 500µs
200µs
100µs
50µsVD = 600V
VR
≦
50V
1パルス当りの平均
損失に動作周波数を
乗ずると平均オン損
失が求められます。
10
2
10
1
2
3
5
7
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
1
2
10
2
357 2
10
3
357 2
10
4
357
tw= 500µs
200µs
100µs
50µs
パルス幅
VD = 600V
di/dt = 50A/µs
VR
≦
50V
Pav = P1×f
1パルス当りの
平均損失に動作
周波数を乗ずる
と平均オン損失
が求められます。
1/f
tw
VAK, iA
diT/dtITM
VD
0
+
t
VR
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