SM5817 ... SM5819
SM5817 ... SM5819
SMD Schottky Barrier Rectifier Diodes
SMD Schottky-Gleichrichterdioden
IFAV = 1 A
VF1 < 0.75 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 20...40 V
IFSM = 30/33 A
Version 2015-12-18
~ DO-213AB
Plastic MELF
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Output Rectification in DC/DC
Converters, Polarity Protection,
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1
Typische Anwendungen
Ausgangsgleichrichtung in
Gleichstromwandlern, Verpolschutz,
Freilaufdioden
Standardausführung 1)
Features
Low forward voltage drop
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Niedrige Fluss-Spannung
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.12 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings and Characteristics 2) Grenz- und Kennwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SM5817 20 20
SM5818 30 30
SM5819 40 40
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C IFAV 1 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 10 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 30/33 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 4.5 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Type
Typ
0.5
5.0
±0. 3
2.5
0.1
0.2
_
+
0.4
_
0.5
0.4
_
SM5817 ... SM5819
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
VF [V] @ IF [A] @ TjCj [pF] @ VR [V]
SM5817 < 0.750 3 25°C typ. 80 4
SM5818 < 0.875 3 25°C typ. 80 4
SM5819 < 0.900 3 25°C typ. 40 4
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 1.0 mA
< 10.0 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT < 15 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
0V
F
0.4 0.6 [V] 1.0
SM5819
SM5818
SM5817
T = 25°C
j
