TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS25R12W1T4 EasyPACKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC VorlaufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 25A / ICRM = 50A TypischeAnwendungen * Klimaanlagen * Motorantriebe * Servoumrichter * USV-Systeme TypicalApplications * AirConditioning * MotorDrives * ServoDrives * UPSSystems ElektrischeEigenschaften * NiedrigeSchaltverluste * TrenchIGBT4 * VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten * NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures * LowSwitchingLosses * TrenchIGBT4 * VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient * LowVCEsat MechanischeEigenschaften * Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand * KompaktesDesign * Lotverbindungstechnik * Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures * Al2O3SubstratewithLowThermalResistance * Compactdesign * SolderContactTechnology * Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS25R12W1T4 VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100C, Tvj max = 175C TC = 25C, Tvj max = 175C IC nom IC 25 45 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 50 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 175 Ptot 205 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,85 2,15 2,25 2,25 V V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,20 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,45 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,05 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA td on 0,05 0,05 0,05 s s s tr 0,027 0,029 0,03 s s s td off 0,18 0,27 0,29 s s s tf 0,16 0,195 0,215 s s s Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 20 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 20 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 20 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 20 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, di/dt = 1200 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGon = 20 Tvj = 150C Eon 1,90 2,65 2,90 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, du/dt = 3500 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGoff = 20 Tvj = 150C Eoff 1,40 2,00 2,20 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,66 0,74 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,80 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 2 tP 10 s, Tvj = 150C 90 150 A C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS25R12W1T4 VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C VRRM 1200 V IF 25 A IFRM 50 A It 90,0 80,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,75 1,75 1,75 2,25 As As Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C IRM 39,0 40,0 41,0 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Qr 2,40 4,10 4,40 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Erec 0,90 1,50 1,70 mJ mJ mJ RthJC 0,95 1,05 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,85 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 k R/R -5 5 % P25 20,0 mW Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode V V V C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 3 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS25R12W1T4 VorlaufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AI2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 VISOL kV 2,5 min. typ. max. LsCE 25 nH RCC'+EE' 4,50 m Tstg -40 125 C G 24 g Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Gewicht Weight Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin. preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS25R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 50 50 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 40 40 35 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,4 0,8 1,2 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 45 IC [A] IC [A] 45 1,6 2,0 2,4 VCE [V] 2,8 3,2 3,6 0 4,0 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 40 45 50 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=20,RGoff=20,VCE=600V 50 8,0 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 45 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 7,0 40 6,0 35 5,0 E [mJ] IC [A] 30 25 20 4,0 3,0 15 2,0 10 1,0 5 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0,0 13 preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 5 0 5 10 15 20 25 30 IC [A] 35 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS25R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=25A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 12 10 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 11 10 ZthJH : IGBT 9 8 ZthJH [K/W] E [mJ] 7 6 5 1 4 3 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,196 0,591 0,589 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 0 20 40 60 80 0,1 0,001 100 120 140 160 180 200 RG [] SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=20,Tvj=150C 55 IC, Modul IC, Chip 50 1 10 50 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 45 40 40 35 35 30 30 IF [A] IC [A] 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 45 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,01 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 6 2,0 2,5 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS25R12W1T4 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=20,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=25A,VCE=600V 3,0 2,0 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 1,8 2,5 1,6 1,4 2,0 E [mJ] E [mJ] 1,2 1,5 1,0 0,8 1,0 0,6 0,4 0,5 0,2 0,0 0 5 10 15 20 25 30 IF [A] 35 40 45 0,0 50 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 RG [] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH: Diode Rtyp R[] ZthJH [K/W] 10000 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,15 0,323 0,739 0,588 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 7 0 20 40 60 80 100 TC [C] 120 140 160 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS25R12W1T4 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehauseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS25R12W1T4 VorlaufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:DK dateofpublication:2013-10-16 approvedby:MB revision:2.1 9