SFH 409
Semiconductor Group 547
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter SFH 409
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Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 409 Q62702-P860 3-mm-LED-Gehäuse (T1), grau eingefärbt, An-
schlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschlu
β
3 mm LED package (T1), grey-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
cathode marking: short lead
SFH 409-1
1)
Q62702-P1001
SFH 409-2 Q62702-P1002
Wesentliche Merkmale
●
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
●
Hohe Zuverlässigkeit
●
Hohe Impulsbelastbarkeit
●
Gruppiert lieferbar
●
Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
Anwendungen
●
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●
IR Fernsteuerungen
Features
●
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
●
High reliability
●
High pulse handling capability
●
Available in groups
●
Same package as SFH 309, SFH 487
Applications
●
Light reflecting switches for steady and
varying intensity
●
IR remote control of various equipment
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fex06250
10.95
Semiconductor Group 548
SFH 409
Grenzwerte
(
T
A
= 25
o
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
– 55 ... + 100
o
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5V
Durchla
β
strom
Forward current
I
F
100 mA
Sto
β
strom,
τ
≤
10
µ
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450 K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
λ
peak
950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
∆λ
55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ±
20 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.09 mm
2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
x
B
L
x
W
0.3 x 0.3 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H
2.6 mm
Kapazität,
V
R
= 0 V
Capacitance
C
o
25 pF
SFH 409
Semiconductor Group 549
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a steradian of
Ω
= 0.01 sr
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Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
t
r, tf1µs
Durchlaβspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.30 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5) V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe15 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI – 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TCλ+ 0.3 nm/K
Bezeichnung
Description Symbol Werte
Values Einheit
Unit
SFH 409 SFH 409-1 SFH 409-2
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 mA, tp = 100 µsIe
Ie typ. ≥ 6.3 6.3 ... 12.5
75 10
120 mW/sr
mW/sr
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Semiconductor Group 550
SFH 409
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
Forward current
IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF = f (τ), TA = 25 oC,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA
-------------------------- fI
F
()=Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
