SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlassigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehausegleich mit SFH 309, SFH 487 Features GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in groups Same package as SFH 309, SFH 487 Anwendungen Applications Lichtschranken fur Gleich- und Light reflecting switches for steady and Wechsellichtbetrieb IR Fernsteuerungen varying intensity IR remote control of various equipment Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package SFH 409 Q62702-P860 SFH 409-11) Q62702-P1001 SFH 409-2 Q62702-P1002 3-mm-LED-Gehause (T1), grau eingefarbt, Anschlusse im 2.54-mm-Raster (1/10''), Kathodenkennzeichnung: kurzerer Anschlu 3 mm LED package (T1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: short lead 1) 1) Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 547 10.95 SFH 409 Grenzwerte (TA = 25 oC) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 oC Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlastrom Forward current IF 100 mA Stostrom, 10 s, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 165 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms peak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms 55 nm Abstrahlwinkel Half angle 20 Grad deg. Aktive Chipflache Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area LxB LxW 0.3 x 0.3 mm Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 2.6 mm Kapazitat, VR = 0 V Capacitance Co 25 pF Semiconductor Group 548 Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics SFH 409 Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 tr, tf 1 s VF VF 1.30 ( 1.5) 1.9 ( 2.5) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 ( 1) A Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms e 15 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA TCI - 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV - 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von peak, IF = 100 mA TC Temperature coefficient of peak, IF = 100 mA + 0.3 nm/K Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Gruppierung der Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a steradian of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 mA, tp = 100 s 1) 1) Symbol Ie Ie typ. Werte Values SFH 409 SFH 409-1 SFH 409-2 6.3 6.3 ... 12.5 75 10 120 Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group Einheit Unit 549 mW/sr mW/sr SFH 409 Relative spectral emission Irel = f () Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s I e Radiant intensity -------------------------I 100 mA e Single pulse, tp = 20 s Permissible pulse handling capability IF = f (), TA = 25 oC, duty cycle D = parameter Radiation characteristics Irel = f () Semiconductor Group = f ( IF) 550 Max. permissible forward current IF = f (TA)