Semiconductor Group 1 1998-09-18
Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused
Hyper-Bright LED LS 3336, LA 3336, LO 3336
LY 3336
VEX06710
Besondere Merkmale
●nicht eingefärbtes, klares Gehäuse
●zur Einkopplung in Lichtleiter
●als optischer Indikator einsetzbar
●Lötspieße mit Aufsetzebene
●gegurtet lieferbar
●Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
●colorless, clear package
●optical coupling into light pipes
●for use as optical indicator
●solder leads with stand-off
●available taped on reel
●load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group 2 1998-09-18
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Typ
Type Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3336-QT
LS 3336-R
LS 3336-S
LS 3336-T
LS 3336-RU
super-red colorless clear 63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
250 ... 500
100 ... 800
Q62703-Q3482
Q62703-Q3484
Q62703-Q3485
Q62703-Q3813
Q62703-Q3486
LA 3336-RU
LA 3336-S
LA 3336-T
LA 3336-U
LA 3336-SV
amber colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
Q62703-Q3554
Q62703-Q3551
Q62703-Q3552
Q62703-Q3553
Q62703-Q3555
LO 3336-RU
LO 3336-S
LO 3336-T
LO 3336-U
LO 3336-SV
orange colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
Q62703-Q3144
Q62703-Q3176
Q62703-Q3170
Q62703-Q3307
Q62703-Q3177
LY 3336-RU
LY 3336-S
LY 3336-T
LY 3336-U
LY 3336-SV
yellow colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
Q62703-Q3487
Q62703-Q3489
Q62703-Q3490
Q62703-Q3814
Q62703-Q3491
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Semiconductor Group 3 1998-09-18
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj + 100 ˚C
Durchlaßstrom
Forward current IF30 20 mA
Stoßstrom
Surge current
t≤10 µs, D = 0.005
IFM 1 0.2 A
Sperrspanung1)
Reverse voltage1) VR3V
Verlustleistung
Power dissipation
TA≤ 25 ˚C
Ptot 80 55 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Rth JA 500 K/W
1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1) Reverse biasing should be avoided.
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Semiconductor Group 4 1998-09-18
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS LA LO LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
IF= 20 mA
λpeak 645 622 610 591 nm
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
IF= 20 mA
λdom 632 615 605 587 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50% Irel max (typ.)
IF= 20 mA
∆λ16 16 16 15 nm
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ50 50 50 50 Grad
deg.
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
IF= 20 mA
VF
VF
2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
VR= 3 V
IR
IR
0.01
10 0.01
10 0.01
10 0.01
10 µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA (typ.)
TCλ0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) TCV– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Semiconductor Group 5 1998-09-18
Relative spektrale Emission Irel =f(λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel =f(ϕ)
Radiation characteristic
OHL00235
400
0
20
40
60
80
100
450 500 550 600 650 700nm
%
Ι
rel
λ
V
λ
yellow
orange
amber
super-red
0.8
100 1.0
80
90
70
0.40.6 0
0
0.2
0.4
60
50
40 30 20
0.6
0.8
10
1.0
φ0
10020 40 8060 120
OHL01646
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Semiconductor Group 6 1998-09-18
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Relative Lichtstärke IV/IV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 20 mA
V
OHL00232
F
F
Ι
10
-1
1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4
0
10
1
10
10
2
5
5
mA
5
1.0
Ι
OHL00233
F
-1
10
V
Ι
10 -3
-2
-1
0
1
10
10
10
10
10 010 110 2
5
5
5
55mA
(20 mA)
ΙV
superred
yellow
orange/amber
Τ
OHL00248
A
0
F
Ι
0 20 40 60 80 C 100
mA
5
10
15
20
25
30
35
yellow
T
OHL00238
0
V
Ι
-20 0 20 40 60 C 100
orange
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Ι
V
(25 C)
yellow
amber
super-red
super-red
amber
yellow
orange
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Semiconductor Group 7 1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
0.4
0.6
3.1
3.4
Area not flat
5.7
6.1
ø2.7
ø2.9
4.8
4.4
3.7
3.5
27.0
29.0
spacing
2.54mm
0.8
0.4
0.4
0.7
0.4
0.6
1.2
1.8
GEX06951
0.9
1.1
Cathode
Approx. weight 0.15 g Cathode
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
OHL00322
1
10
-2
10
Ι
F
A
5
10
-5
p
t
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10s
F
Ι
T
p
t
=
D
p
t
T
0.5
0.2 0.1
D
=
0.005
0.01
0.05
0.02
10
-1
10
0
5
5
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
OHL00316
5
0
10
-2
10
Ι
F
A
10
-1
5
10
-5
p
t
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10s
F
Ι
T
p
t
=
D
p
t
T
0.5
0.2
0.1
D
=
0.005
0.01
0.05
0.02
