European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
VWK January
Marketing Information
D 921 S 45 T
A
K
3,5±
Anode
Kathode
62,8
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 921 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C...140°C VRRM 4500 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...140°C VRSM 4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current IFRMSM 2560 A
Dauergrenzstrom / mean forward current tC = 85°C IFAVM 1380 A
tC = 52°C 1630 A
Stoßstrom-Grenzwert
1)
tvj = 25°C, tp = 10 ms, v
R = 0V IFSM A
surge forward current
1)
tvj = 140°C, t
p = 10 ms, v
R = 0V 23000 A
Grenzlastintegral tvj = 25°C, tp = 10 ms, v
R = 0V I²t A²s
I²t-value tvj = 140°C, t
p = 10 ms, v
R = 0V 2650000 A²s
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit IFM = 3000 A, V
R = 0,67 VDRM (-diF/dt)com 500 A/µs
critical repetitive rate of fall of on - state CS = 0,3 µF, R
S = τ/CS
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage tc = -25°C ... +85°C VR(D) typ. 2600V
Durchlaßspannung / forward voltage tvj = 140°C, i
F = 2500 A VFmax 2,6V
Schleusenspannung / threshold voltage tvj = 140°C V(TO) 1,4 V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = 140°C rT0,48 mΩ
Sperrstrom / reverse current tvj = 140°C, v
R = 0,67 VRRM iRmA
tvj = 140°C, v
R = VRRM max. 100 mA
Rückstromspitze / peak reverse recovery current iFM = 1000 A, -di
F/dt = 250 A/µs IRM max. 800A
vR = 1000 V; D
S = D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/CS
Sperrverzögerungsladung iFM = 1000 A, -di
F/dt = 250 A/µs Qrr 2800 µAs
recovered charge vR = 1000 V; D
S = D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/CS
Sanftheit iFM = 1000 A, -di
F/dt = 250 A/µs SR typ. 0,002µAs
Softness vR = 1000 V; D
S = D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/CS
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,0125 K/W
Anoden / anode 0,0228 K/W
Kathode / cathode 0,0277 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCK
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,003K/W
einseitig / single-sided max. 0,006K/W
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat. tvjmax 140 °C
Betriebstemperatur / operating temperature tc op -40...+140°C
Lagertemperatur / storage temperature tstg -40...+150°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force F27...45 kN
Gewicht / weight Gtyp. 850 g
Luftstrecke / air distance 20 mm
Kriechstrecke / creepage distance 30 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
Fig. 2
Surge current ITSM = f(tp)
Sine halfwave i2dt = f(tp)
tvj = tvjmax
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
D 921 S 45 T_01
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
iF
[A]
vF [V]
max
min
Fig. 1
On-state characteristics
tvj = tvjmax
D 921 S 45 T
0,001 0,01 0,1 1 10 100
0,030
0,020
0,010
0
D 921 S 45 T_02
2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8
t [s]
ZthJC
[K/W]
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Analytical function:
ZthJC = Σ Rthn (1-EXP(-t/τn))
nmax
n = 1
Fig. 3
Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC
1 - Two-sided cooling
2 - Anode-sided cooling
3 - Cathode-sided cooling
1. ZthJC2. ZthJC3. ZthJC
r [K/W]τ [s]r [K/W]τ [s]r [K/W]τ [s]
1 0,00430 1,70000 0,01460 8,00000 0,01950 7,30000
2 0,00610 0,16200 0,00610 0,16200 0,00610 0,16200
3 0,00060 0,04060 0,00060 0,04060 0,00060 0,04060
4 0,00100 0,00940 0,00100 0,00940 0,00100 0,00940
5 0,00050 0,00190 0,00050 0,00190 0,00050 0,00190
Σ0,01250 -0,02280 -0,02770 -
3
2
1
100
10
10,1 1 10 100
D 921 S 45 T_03
IFSM
[A]
t [ms]
2 3 4 5 6 8 2 3 4 5 6 8 2 3 4 5 6 8
8
6
5
4
3
2
8
6
5
4
3
2
⌠
⌡i2dt
⌠
⌡i2dt
[A2s]
ITSM
[A]
106
107
⌠
⌡
100
10
1
10 100 1000
D 921 S 45 T_04
Qr
[µAs]
-di/dt [A/µs]
865432 865432
8
6
5
4
3
2
8
6
5
4
3
2
IFM=
1000 A
500 A
300 A
100 A
3000 A
Fig. 4
Reverse recovery charge (upper limit, ca. 98% values)
Parameter: IFM
Conditions:
tvj = 140°C; CS = 3 µF
VR ≥ 1000 V; DS = D 291 S 45 T
10
10
10
10
3
2
1
10 100 1000
4
D 921 S 45 T_05
3000 A
865432865432
2
3
4
5
6
8
2
3
4
5
6
8
2
3
4
5
6
8
IFM =
1000 A
300 A
100 A
500 A
Qr
[µAs]
-di/dt [A/µs]
Fig. 5
Reverse recovery current (upper-limit, ca. 98% values)
Parameter: IFM
Conditions:
tvj = 140°C; CS = 3 µF
VR ≥ 1000 V; DS = D 291 S 45 T
10
1
0,1
10 100 1000
Eoff
[Ws]
-di/dt [A/µs]
865432 865432
8
6
5
4
3
2
8
6
5
4
3
2
3000A
1000A
600A
300A
100A
IFM=
Fig. 6
Turn-off-losses Eoff = f(di/dt)
diodes with VFmax
Parameter:IFM
tvj = 140°C; CS = 4 µF
DS = D 291 S 45 TVRM = 3000 V
VRM = 2000 V
80
70
60
50
40
30
20
10
0100 200 300 400 500 600 700 800
25°C
D 921 S 45 T_07
Tvjmax
VFRM
[V]
diF/dt [A/µs]
Fig. 7
Peak Forward Recovery Voltage
(typical values)
Parameter: tvj
D 921 S 45 T
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