Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TZ 150 N 18...26 N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...Tvj max
V
DRM
, V
RRM
1800, 2000
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
2200, 2400
V
2600
V
Tvj = - 40°C...Tvj max
V
DSM
1800, 2000
V
non-repetitive peak forward off-state voltage
2200, 2400
V
2600
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...Tvj max
V
RSM
1900, 2100
V
non-repetitive peak reverse voltage
2300, 2500
V
2700
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
I
TRMSM
350
A
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
TC = 85°C
I
TAVM
150
A
average on-state current
TC = 54°C
223
A
Stoßstrom-Grenzwert
Tvj = 25°C, tp = 10ms
I
TSM
4500
A
surge current
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
4000
A
Grenzlastintegral
Tvj = 25°C, tp = 10ms
I²t
101000
A²s
I²t-value
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
80000
A²s
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
60
A/µs
critical rate of rise of on-state current
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Kritische Spannungssteilheit
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dv
D
/dt)
cr
critical rate of rise of off-state voltage
6. Kennbuchstabe / 6th letter C
500
V/µs
6. Kennbuchstabe / 6th letter F
1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = Tvj max, iT = 600A
v
T
max.
2,6
V
on-state voltage
Schleusenspannung
Tvj = Tvj max
V
(TO)
1,2
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = Tvj max
r
T
2,3
m
ΩΩ
slope resistance
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 6V
I
GT
max.
200
mA
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V
V
GT
max.
2,0
V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
Tvj = Tvj max, vD = 6V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
5
mA
Nicht zündende Steuerspannung
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
V
GD
max.
0,2
V
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
A
= 5
ΩΩ
I
H
max.
300
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
GK
≥≥
10
ΩΩ
I
L
max.
1200
mA
latching current
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tG = 20µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
Tvj = Tvj max
i
D
, i
R
max.
50
mA
forward off-state and reverse currents
vD = VDRM, vR = VRRM
SZ-MA; R. Jörke
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TZ 150 N 18...26 N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Zündverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4,0
µs
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = 150A
t
q
circuit commutated turn-off time
vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
300
µs
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
3,0
kV
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
3,6
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per module, Θ = 180°sin
R
thJC
max.
0,130
°C/W
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module, DC
max.
0,124
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
pro Modul / per module
R
thCK
max.
0,040
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+125
°C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+130
°C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
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Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Innere Isolation
AlN
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1
5
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
12
Nm
terminal connection torque
Gewicht
G
typ.
900
g
weight
Kriechstrecke
15
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TZ 150 N 18...26 N
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TZ 150 N 18...26 N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n 1234567
0,0031 0,0097 0,0257 0,0429 0,0426
0,0009 0,0080 0,1100 0,6100 3,0600
SZ-MA; R. Jörke 29. Jul 98 Seite/page 4(4)
[
]
R C W
thn °/
[
]
τns
AnalytischeFunktion ZRe
thJC thn
t
n
n
n
:max
= −
−
=
∑1
1
τ