Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 170 S 25
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 25°C...Tvj max VRRM 2500 V
repetitive peak forward reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 2600 V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert IFRMSM 400 A
RMS forward current
Dauergrenzstrom TC =85°C IFAVM 170 A
mean forward current TC =44°C 255 A
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 4300 A
surge foward current Tvj = Tvj max, tp = 10 ms 3700 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 92450 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 68450 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iF = 800 A vFmax. 2,3 V
forward voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 1,1 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT1,4
m
Ω
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 VFRM 48
V
1)
peak value of forward recovery voltage Tvj = Tvj max
diF/dt=200A/µs, vR=0V
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II tfr max. 2,2
µs
1)
forward recovery time Tvj = Tvj max, iFM=diF/dt*tfr
diF/dt=200A/µs, vR=0V
Sperrstrom Tvj = 25°C, vR=VRRM iRmax. 5mA
reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM max. 70 mA
Rückstromspitze DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max IRM 340 A
1)
peak reverse recovery current iFM =500A,-diF/dt=200A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max Qr870 µAs
1)
recovered charge iFM =500 A,-diF/dt=200A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max trr 4
µs
1)
reverse recovered time iFM =500A,-diF/dt=200A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sanftheit DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max SR 0,004 µs/A
2)
Softness iFM =500A,-diF/dt=200A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 170 S 25 S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resitance, junction to case Anode / anode,
Θ
=180°sin max. 0,19 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,18 °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCK
thermal resitance, case to heatsink einseitig / single-sided max. 0,04 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 140 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+140 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+150 °C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 23mm
Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung M20 Nm
mounting torque
Gewicht Gtyp. 110 g
weight
Kriechstrecke 12 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks: K1,1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 170 S 25 S
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 170 S 25 S
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1.000
0,5 11,5 22,5 3
vF [V]
iF[A]
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