SPL PLxx
Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 10 …16 W Spitzenleistung
Pulsed Laser Diode in Plastic Package 10 …16 W Peak Power
2000-11-07 1
Besondere Merkmale
• Kostengünstiges Plastikgehäuse
• Zuverlässiges InGaAs/G aAs kompres siv
verspanntes Halbleiter-Material
• Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“
(LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld
• Laterale Austrittsöffnung 200 µm
Anwendungen
• Entfernungsmessung
• Sicherheit, Überwachung
• Beleuchtung, Zündung
• Test- und Messsysteme
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Typ
Type Opt. Spitzenausgangsleistung
Opt. Peak Power Wellenlänge1)
Wavelength1)
1) Andere W ellenlängen im Bereich von 780 nm … 980 nm sind au f An fra ge erhältlich.
Other wav elengths in the ran ge of 780 nm … 980 nm are av ailable on request.
Bestellnummer
Ordering Code
SPL PL85 10 W 850 nm Q62702-P1759
SPL PL90 16 W 905 nm Q62702-P1760
Features
•Low cost plastic package
•Reliable strained InGaAs/GaAs material
•High power large-optical-cavity structure
•Lateral laser aperture 200 µm
Applications
•Range finding
•Security, surveillance
•Illumination, ignition
•Test and measurement systems
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
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SPL PLxx
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Parameter
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. max.
Spitzenausgangsleistung 850 nm
Peak output power 905 nm Ppeak –
–10
16 W
Durchlaßstrom 850 nm
Forward current 905 nm IF–14
22 A
Pulsbreite (Halbwertsbreite)
Pulse width (FWHM) tp–100 ns
Tastverhältnis
Duty cycle d.c. –0.1 %
Sperrspannung
Reverse voltage VR–3V
Betriebstemperatur
Operating temperature Top - 40 + 85 °C
Lagertemperatur
Storage temperature Tstg - 40 + 100 °C
Löttemperatur
(tmax = 10 s, 2 mm von Gehäuseunterseite)
Soldering temperature
(tmax = 10 s, 2 mm from bottom edge of case)
Ts–+ 260 °C
SPL PLxx
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Optische Kennwerte (TA = 25 °C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. typ. max.
Zentrale Emissionswellenlänge1)
Emission wavelength1) λpeak 830
895 850
905 870
915 nm
Spektrale Breite (Halbwertsbreite)1)
Spectral width (FWHM)1) ∆λ –4–nm
Betriebsstrom (10 W)1) 850 nm
Operating current (16 W)1) 905 nm Iop –
–12
18 –
–A
Schwellstrom
Threshold current Ith –0.8 –A
Durchlaßspannung2) (0.1 A)
Forward voltage2) (14 A) VF–
–1.6
5–
10 V
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
Rise and fall time (10% … 90%) tr, tr1520ns
Austrittsöffnung
Aperture size w × h200 × 2µm2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite)
Beam divergence (FWHM) θ|| × θ⊥–6° × 34°– Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge2)
Temperature coefficient of wavelength2) ∂λ / ∂T–0.3 –nm/K
Temperaturkoeffizient der opt.
Ausgangsleistung
Temperature coefficient of optical power
∂Pop/Pop∂T–0.5 –%/K
Thermischer Widerstand
Thermal resistance Rth JA –160 –K/W
1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf Pulse mit einer Halbwertsbreite von 90 ns bei einer Frequenz von
10 kHz mi t 10 /1 6 W Spitzenleistung in NA = 0.5 bei TA = 25 °C.
Standard operating conditions refer to pulses of 90 ns (FWHM) at 10 kHz rate with 10/16 W peak power into
NA = 0.5 at TA = 25 °C.
2) Abhängig von der Emissionswellenlänge.
Depend ing on emission w av elength.
SPL PLxx
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Optische Kennwerte
(Laser Kennwerte sind für alle Wellenlängen ähnlich,
Param et er w erden vorn detaillierter aufgeführt).
Optical Output Power Popt vs.
Forward Current IF (TA = 25 °C)
SPL PL85
Optical Characteristics
(Laser characteristics are similar for all wavelengths,
parame te rs are listed on previous page in detail).
Optical Spectrum, Relative Intensity Irel vs.
Wavelength λ (TA = 25 °C, Popt = 12 W)
SPL PL85
OHW00914
00
opt
P
I
4 8 12 16A
2
4
6
8
10
12
14
W
OHW00901
0838
λ
Ι
rel
20
40
60
80
100
842 846 850 854 858nm
%
SPL PLxx
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Optical Output Power Popt vs.
Forward Current IF (TA = 25 °C)
SPL PL90
Farfield Distribution Parallel
to Junction Irel vs. θ||
Optical Spectrum, Relative Intensity Irel vs.
Wavelength λ (TA = 25 °C, Popt = 16 W)
SPL PL90
Farfield Distribution Perpendicular
to Junction Irel vs. θ⊥
OHW00915
00
opt
P
I
4 8 12 16 20 24
4
8
12
16
20
W
A
Θ
OHW00306
0
rel
Ι
20
40
60
80
100
-15 degree-10 -5 0 5 15
Il
OHW00913
0895
λ
Ι
rel
20
40
60
80
100
%
900 905 910 915nm
OHW00313
0
rel
Ι
20
40
60
80
100
-50 degree-30 -10 10 50
Θ
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SPL PLxx
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße werden wi e fo lgt angegeben: mm (inch) / Dimensio ns are s pecified as follow s: m m (inc h).
0.1 (0.004) ... 0.7 (0.028)
ø4.8 (0.189)
ø5.1 (0.201)
4.2 (0.165)
5.0 (0.197)
3.85 (0.152)
3.35 (0.132)
27.0 (1.063)
29.0 (1.142)
1.8 (0.071)
1.2 (0.047)
spacing
2.54 (0.100) mm
0.4 (0.016)
0.6 (0.024)
0.8 (0.031)
0.4 (0.016)
Cathode Chip position
Area not flat
5.5 (0.217)
5.9 (0.232)
Bottom view
0.4 (0.016)
0.6 (0.024)
Chip position
GEOY6066
