BFS20 - Diotec Semiconductor

BFS20

NPN Surface Mount Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Transistoren für die Oberflächenmontage NPN

Version 2012-11-26

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Power dissipation – Verlustleistung 200 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)

BFS20

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 20 V

Collector-Base-volt. – Kollektor-Base-Spannung E open VCBO 30 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 4 V

Power dissipation – Verlustleistung Ptot 200 mW 1)

Collector current – Kollektorstrom (dc) IC25 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)

Min. Typ. Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)

VCE = 10 V, IC = 7 mA hFE 40 – 140

Collector cutoff current – Kollektor-Reststrom

VCB = 20 V ICB0 – – 100 nA

Emitter-cutoff current – Emitter-Reststrom

VEB = 4 V IEB0 – – 100 µA

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2.5 max

1.3

±0.1

1.1

0.4

2.9

±0.1

Type

Code

1.9

BFS20

Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)

Min. Typ. Max.

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)

VCE = 10 V, - IC = 7 mA VBE – – 0.9 V

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

VCE = 10 V, IC = 5 mA, f = 100 MHz fT275 MHz 450 MHz –

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 1 pF –

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 420 K/W 2)

Marking - Stempelung BFS20 = 8O

1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss