LE AB A2A
OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Vorläufige Daten / Preliminary D ata
Abgekündigt nach OS-PD-2008-008
Obsolete acc. to OS-PD-2008-008
2008-07-07 1
Besondere Merkmale
•Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie;
planvergossen
•Besonderheit des Bauteils: extrem hohe
Helligkeit dank Oberflächenemission und
niedrigem Rth
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
•Wellenlänge: 617 nm (amber), 464 nm (blau)
•Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)
•Abstrahlende Fläche: typ. 2,1 x 2,1 mm²
•Technologie: Thinfilm InGaAlP (amber),
ThinGaN® (blau)
•Leuchtdichte: 18*106 cd/m² (amber),
3.5*106 cd/m² (blau)
•max. optischer Wirkungsgrad:
51 lm/W (amber), 17 lm/W (blau) bei 100 mA mit
Linse
•Montierbarkeit: verschraubbar
•Stecker: 10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB
•ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-B
•Verpackungseinheit: 25 St. pro Box
= Verpackungseinheit
Anwendungen
• Projektoren
• Medizintechnik: Operationslampen
• Mikroskopbeleuchtung
• Scheinwerfer
• Verkehrszeichen
• Hochwertige Blitzlichter
Features
•package: compact lightsource in multi chip on
board technology; planar sealed
•feature of the device: outstanding luminance
due to pure surface emission and low Rth
prepared for additional optics
•wavelength: 617 nm (amber), 464 nm (blue)
•viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
•light emitting surface: typ. 2.1 x 2.1 mm²
•technology: Thinfilm InGaAlP (amber),
ThinGaN® (blue)
•Luminance: 18*106 cd/m² (amber),
3.5*106 cd/m² (blue)
•max. optical efficiency: 51 lm/W (amber),
17 lm/W (blue) at 100 mA with le ns
•mounting methode: screw holes
•connector: 10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB
•ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-B
•method of packing: 25 pcs. per tray = packing
unit
Applications
• projectors
• medical lighting: surgery light
• microscope illumination
• spotlights
• VMS (variable message signs)
•high end strobe light
2008-07-07 2
LE AB A2A
Anm: Die oben genannten Typbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen aus einer
Helligkeitsgruppe. Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe pro Farbe und Verpackungsbox geliefert.
Note: The above Type Numbers represent the order groups wh ich includes only one brightness group per color and
tray. Only one group will be shipped on each tray.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of Emission
Lichstärke pro Farbe1) Seite 17
Luminous Intensity per Color1) page 17
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B)
ΙV (cd)
amber blue
min. typ. min. typ.
LE AB A2A amber
blue 30 36
4.5
7.0
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of Emission
Lichtfluss pro Farbe2)3) Seite 17
Luminous Flux per Color2)3) page 17
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B)
ΦV (lm)
amber blue
min. typ. min. typ.
LE AB A2A amber
blue (93) (111)
(14)
(21)
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
!LE AB A2A-HMKA+DWGW Q65110A3737
!Abgekündigt nach OS-PD-2008-008 - wird durch LE AB H3WB ersetzt werden
Obsolete acc. to OS-PD-2008-008 - will be replaced by LE AB H3WB
Letzte Bestellung / Last Order: 2009-01-10
Letzte Lieferung / Last Delivery: 2009-07-10
LE AB A2A
2008-07-07 3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
amber blue
Betriebstemperatur*
Operating temperature range* Tboard, op – 40 … + 85 °C
Lagertemperatur
Storage temperature range Tboard, stg – 40 … + 85 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj125 °C
Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(Tboard =25°C)
IF750 700 mA
Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC
t ≤ 10 μs, D = 0.1; TA=25°C
IFM 2000 2000 mA
Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(Tboard=25°C)
VR0.5 V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 0.5 V
IR 10 mA
Leistungsaufnahme pro Farbe
Power consumption per Color
(Tboard=25°C)
Ptot 5.1 5.6 W
* Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.
Kennwerte
Charakteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Junction / base plate
Rth JB 5
K/W
2008-07-07 4
LE AB A2A
Kennwerte
Characteristics
(Tboard = 25 °C)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
amber blau
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B)
λpeak 627 460 nm
Dominantwellenlänge4) Seite 17 (min.)
Dominant wavelength4) page 17 (typ.)
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B) (max.)
λdom
λdom
λdom
613
617
625
458
464
469
nm
nm
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50 % Φrel max
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B)
Δλ 24 27 nm
Abstrahlwinkel bei 50 % ΙV (Vollwinkel) (typ.)
Viewing angle at 50 % ΙV
2ϕ120 120 Grad
deg.
Durchlassspannung5) Seite 17 (min.)
Forward voltage5) page 17 (typ.)
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B) (max.)
VF
VF
VF
2.1
2.9
3.4
2.9
3.5
4.0
V
V
V
Temperaturkoeffizient von λpeak pro Chip (typ.)
Temperature coefficient of λpeak per chip
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B); –10°C ≤ T ≤ 100°C
TCλpeak 0.14 0.05 nm/K
Temperaturkoeffizient von λdom pro Chip (typ.)
Temperature coefficient of λdom per chip
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B); –10°C ≤ T ≤ 100°C
TCλdom 0.08 0.02 nm/K
Temperaturkoeffizient von VF pro Chip (typ.)
Temperature coefficient of VF per chip
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B); –10°C ≤ T ≤ 100°C
TCV– 2.5 – 4.0 mV/K
Optischer Wirkungsgrad ohne Linse
Optical efficiency without Lens (typ.)
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B)
ηopt
25
6
lm/W
max. Optischer Wirkungsgrad mit Linse6) Seite 17
max. Optical efficiency with Lens6) page 17 (typ.)
IF = 100 mA (A, B)
ηopt max.
51
17
lm/W
Abstrahlende Fläche (typ.)
Radiating Surface AColor 2 x 1 2 x 1 mm²
Leuchtdichte
Luminance (typ.)
IF = 750 mA (A) / 500 mA (B)
LV
18*106
3.5*106
cd/m²
LE AB A2A
2008-07-07 5
RT = NTC resistance in Ω at temperature T in K
RN = NTC resistance in Ω at rated temperature TN
in K (TN = 298 K for test condition)
T, TN = temperature in K
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)
B = B value, material specific con stant of the NTC
thermistor
Typische Thermistor Kennlinie2) 7) Seite 17
Typical Thermistor Graph2) 7) page 17
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
SMD NTC Thermistors
SMD NTC Thermistors
R25
[Ω]
No. of R/T
characteristic
s*
B25/50
[K]
B25/85
[K]
Resistance
Tolerance
Δ RN/RN
B value
Tolerance
Δ B/B
10k EPCOS 8502 3940 3980 ± 5% ± 3%
* for further information please visit www.epcos.com
RTRNeB1
T
--- 1
TN
------–
⎝⎠
⎛⎞
⋅
⋅=
BB
NT⁄
TT
N
⋅
TT
N
–
---------------- RN
RT
-------ln⋅==
00˚C
T
R
Ω
OHL02609
NTC
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
10000
10 20 30 40 50 60 70 90
2008-07-07 6
LE AB A2A
Helligkeits-Gruppierungsschema
Brightness Groups
Helligkeitsgruppe
Brightness Group Lichtstärke2) 3) Seite 17
Luminous Intensity2) 3) page 17
IV (cd)
Lichtstrom1) Seite 17
Luminous Flux1) page 17
ΦV (lm)
amber HM
HB
JA
JB
KA
30.0 ... 35.5
35.5 ... 45.0
45.0 ... 56.0
56.0 ... 71.0
71.0 ... 90.0
99.0 (typ.)
121.0 (typ.)
152.0 (typ.)
191.0 (typ.)
240.0 (typ.)
blue DW
EW
FW
GW
4.5 ... 7.1
7.1 ... 11.2
11.2 ... 18.0
18.0 ... 28.0
17.5 (typ.)
27.5 (typ.)
44.0 (typ.)
67.5 (typ.)
Anm.: Die Standardlieferform von Serientypen beinhal tet eine Familiengrup pe. Diese besteht aus nur
wenigen Helligkeitsgruppen. Einzelne Helligkeitsgruppen sind nicht bestellbar.
Note: The standard shipping format for serial types includes a family group of only a few individual
brightness groups. Individual brightness groups cannot be ordered.
Gruppenbezeichnung auf Etikett
Group Name on Label
Beispiel: HM
Example: HM
Helligkeitsgruppe
Brightness Group
HM
Anm.: In einer Verpackungseinheit ist immer nur eine Gruppe für jede Selektion enthalten.
Note: No packing unit ever contains more than one group for each selection.
LE AB A2A
2008-07-07 7
Relative spektrale Emission2) Seite 17
Relative Spectral Emission2) page 17
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit / Standard eye response curve
Irel = f (λ), Tboard = 25 °C, IF = 750 mA (A) / 500 mA (B)
Abstrahlcharakteristik2) Seite 17
Radiation Characteristic2) page 17
Φrel = f (ϕ); Tboard = 25 °C
0
400 550450 500 600 650 nm
λ
700
OHL02482
I
20
40
60
80
%
100
rel
blue
amber
V
λ
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
ϕ
1.0 0.8 0.6 0.4
0˚10˚20˚40˚ 30˚
OHL01660
50˚
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚ 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚
LE AB A2A
2008-07-07 8
Durchlassstrom (amber)2) Seite 17
Forward Current (amber)2) page 17
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
Durchlassstrom (blau)2) Seite 17
Forward Current (blue)2) page 17
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
Relative Lichtstärke2) 8) Seite 17
Relative Luminous Intensity2) 8) page 17
ΙV/ΙV(750 mA (A) / 500 mA (B)) = f (IF); Tboard = 25 °C;
tP=1ms, D=0,0003
Relative Lichtstärke2) Seite 17
Relative Luminous Intensity2) page 17
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 750 mA (A) / 500 mA (B)
OHL02694
1.5
F
V
10
-2
I
F
10
-1
0
10
1
10
5
5
22.5 3 3.5 4 V 5
A
OHL02695
2
F
V
I
F
10
-1
2.5 3 3.5 4 4.5 V 5.5
0
10
5
A
3
OHL02492
1
10
F
I
10
-2
V (ref. mA)
II
V
5
2
10
3
10 mA
5
10
-1
10
0
5
5
blue amber
OHL03076
0
T
-40 ˚C-20 02040 60 100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.6
j
blue
amber
V (25 ˚C)
I
V
I
LE AB A2A
2008-07-07 9
Dominante Wellenlänge2) Seite 17
Dominant Wavelength2) page 17
LA, λdom = f (IF); Tboard = 25 °C
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 17
Relative Forward Voltage2) page 17
ΔVF = VF - VF(25 °C)= f (Tj); IF = 750 mA (am ber)
Dominante Wellenlänge2) Seite 17
Dominant Wavelength2) page 17
LB, λdom = f (IF); Tboard = 25 °C
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 17
Relative Forward Voltage2) page 17
ΔVF = VF - VF(25 °C)= f (Tj); IF = 500 mA (blue)
I
OHL01659
616.0
dom
λ
0mA
nm
F
200 400 600 1000
amber
616.5
617.0
617.5
618.0
615.0
615.5
-60
-0.10 -40 -20 0 20 ˚C6040
T
j
100
OHL02985
V
F
V
Δ
-0.05
0
0.05
0.10
0.15
0.20
0.30
I
OHL01670
461
dom
λ
0mA
nm
F
200 400 600 1000
462
463
464
465
466
467
468
470
blue
OHL026
7
1
T
j
-40
-0.1
-0.2
-0.3
0
0.1
-20 0 20 40
0.2
0.4
˚C60 100-60
V
V
F
Δ
LE AB A2A
2008-07-07 10
Maximal zulässiger Durchlassstrom
Max. Permissible Forward Current
1 Chip on; IF = f (TS)
Maximal zulässiger Durchlassstrom für 4 Chips
Max. Permissible Forward Current for 4 Chips
(operated parallel;c urrent for single chip is If/4) IF = f (TS)
Maximal zulässiger Durchlassstrom für 2 Chips
Max. Permissible Forwa rd Current for 2 Chips
(operated parallel;current for single chip is If/2) IF = f (TS)
002040 ˚C60 80 100
T
I
F
mA
OHL02676
Board
100
200
300
400
500
600
700
800
1000
amber
blue
002040 ˚C60 80 100
T
I
FmA
OHL02678
Board
amber
blue
500
1000
1500
2000
2500
3500
002040 ˚C60 80 100
T
I
F
mA
OHL02677
Board
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
2000
amber
blue
LE AB A2A
2008-07-07 11
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 25 °C
1 chip operated
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 85 °C
1 chip operated
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
blue: Duty cycle D = parameter, Tboard = 25°C
1 chip operated
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
blue: Duty cycle D = parameter, Tboard = 85°C
1 chip operated
1.4
F
I
A
t
p
OHL02594
P
t
=
DT
P
t
T
I
F
6ms
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
0.01
0.005
D
0.1
0.05
0.02
=
0.5
0.3
0.2
0.5 1.5 2.5 3.5 4.5
1.0
F
I
A
t
p
OHL02595
P
t
=
DT
P
t
T
I
F
6ms
0.01
0.005
D
0.1
0.05
0.02
=
0.5 1.5 2.5 3.5 4.5
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.1
0.2
0.3
0.5
1.3
F
I
A
t
p
OHL02596
P
t
=
DT
P
t
T
I
F
6ms0.5 1.5 2.5 3.5 4.5
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
0.1
0.01
0.05
0.02
0.005
=
D
0.5
0.3
0.2
0.9
F
I
A
t
p
OHL02597
P
t
=
DT
P
t
T
I
F
6ms0.5 1.5 2.5 3.5 4.5
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.1
0.05
0.3
0.5
0.2
0.1
0.005
0.02
0.01
D
=
LE AB A2A
2008-07-07 12
Zulässige Impulsbelastbarkeit für 2 Chip IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability for 2 Chip
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 25 °C
2 chips operated parallel; curre nt for single chip is If/2
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 85 °C
2 chips operated parallel; curre nt for single chip is If/2
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
blue: Duty cycle D = parameter, Tboard = 25°C
2 chips operated parallel; current for sin gle chip is If/2
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
blue: Duty cycle D = parameter, Tboard = 85°C
2 chips operated parallel; current for sin gle chip is If/2
2.6
F
I
A
t
p
OHL02598
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.0
4.2
0.5 1.5 2.5 3.5 4.5 6ms
I
P
t
=
DTT
P
t
F
0.5
0.3
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
D
0.005
=
1.8
F
I
A
t
p
OHL02599
0.5 1.5 2.5 3.5 4.5 6ms
I
P
t
=
DTT
P
t
F
0.01
0.02
0.05
D
0.005
=
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.2
0.1
0.2
0.3
0.5
2.4
F
I
A
t
p
OHL02600
0.5 1.5 2.5 3.5 4.5 6ms
I
P
t
=
DTT
P
t
F
0.01
0.02
0.05
D
0.005
=
0.1
0.5
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.0
4.2
0.3
0.2
1.6
F
I
A
t
p
OHL02601
0.5 1.5 2.5 3.5 4.5 6ms
I
P
t
=
DTT
P
t
F
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.2
0.1
0.5
0.2
0.3
0.01
0.02
0.05
0.005
=
D
LE AB A2A
2008-07-07 13
Maßzeichnung9) Seite 17
Package Outlines9) page 17
Kathodenkennung: Markierung
Cathode mark: mark
Gewicht / Approx. weight: 2 g
Verwendeter Stecker / Used male connector on board: JST BM 10B-SR SS-TB (www.jst.com)
Empfohlene Gegenstecker / JST SHR-10V-S (www.jst.com)
Recommended female connector for power supply: JST SHR-10V-S-B (www.jst.com)
Kontakt - Pins: SSH-003T-P0.2 (www.jst.com)
Chip-Position:
1: Amber
2: Blue 1
3: Blue 2
4: Amber
Pin-Assignment:
a1: Cathode B1
2: Anode B1
3: Anode R
4: Cathode R
5: NTC
6: NTC
7: Cathode B2
8: Anode B2
9: Anode R
10: Cathode R
2008-07-07 14
LE AB A2A
Verpackung 9) Seite 17 25 St. pro Box = Verpackungseinheit
Method of Packing 9) page 17 25 pcs. per tray = packing unit
Barcode-Tray-Etikett (BTL)
Barcode-Tray-Label (BTL)
MATERIAL:
Bar Code
Material Number Batch Batch Number
OHA02684
DC:
LE xxx xxx
Group:
xxxx-xxxx-xxxx Date Code
Data
Matrix
Code
BIN
BIn Nr.
LE AB A2A
2008-07-07 15
Kartonverpackung und Materialien
Transportation Packing and Materials
OHA02886
PACKVAR:
R077
Additional TEXT
P-1+Q-1
Multi TOPLED
Muster
OSRAM Opto
Semiconductors
(6P) BATCH NO:
(X) PROD NO:
1
0
(9D) D/C:
11
(1T) LOT NO:
210021998
123GH1234
0245
(Q)QTY:
2000
0144
(G) GROUP:
260 C RT
240 C R
3
220 C R
ML
Bin3:
Bin2: Q-1-20
Bin1: P-1-20
LSY T676
2
2a
Temp ST
R18
DEMY
Barcode label
Original packing label
Box
2008-07-07 16
LE AB A2A
Anm.: Gemäß IEC 60825-1 (EN 60825-1) gilt für amber:
Note: According IEC 60825-1 (EN 60825-1) for amber:
Anm.: Gemäß IEC 60825-1 (EN 60825-1) gilt für blau:
Note: According IEC 60825-1 (EN 60825-1) for blue:
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Packing
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material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components10) page 17 may only be used in life-support devices or systems11) page 17 with the express written approval of
OSRAM OS.
Revision History: 2008-07-07
Previous Version: 2006-09-13
Page Subjects (major changes since last revision) Date of change
9Relative Forward Voltage 2006-08-08
all Product Discontinuation OS-PD-2008-008 2008-07-07
OHW02884
LED RADIATION
DO NOT VIEW DIRECTLY
WITH OPTICAL INSTRUMENTS
CLASS 1M LED PRODUCT
OHW12884
LED STRAHLUNG
NICHT DIREKT MIT OPTISCHEN
INSTRUMENTEN BETRACHTEN
LED KLASSE 1M
OHW02885
LED RADIATION
DO NOT STARE INTO BEAM
CLASS 2 LED PRODUCT
OHW12885
LED STRAHLUNG
NICHT DIREKT IN
LED KLASSE 2
DEN STRAHL BLICKEN
LE AB A2A
2008-07-07 17
Fußnoten:
1) Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt.
Messbedingung für Lichtstärkemessung nach CIE127
Condition A.
2) Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der
Herstellung von LED können typische oder abgeleitete
technische Parameter nur a ufgrund statistischer Werte
wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht
notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen
Produktes überein, dessen Werte sich von typischen
und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien
unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B. aufgrund
technischer Verbesserungen, werden diese typischen
Werte ohne weitere Ankündigung geändert.
3) Min. ΦV Werte werden aus den Iv - Werten berechnet.
Die Helligkeitswerte auf Seite 2 wurden ohne
Primäroptik gemessen.
4) Wellenlängen werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ±1 nm ermittelt.
5) Spannungswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 1 ms und einer Genauigkeit von ±0,1 V ermittelt.
6) Für den Fall, dass eine Optik wie z. B. eine
Halbsphärenlinse als Primäroptik verwendet wird, kann
der Lichtfluss bis zu 40% für rot und grün un d 36% für
blau erhöht werden.
7) Die R-T-Kurve eines NTC läßt sich in einem engen
Bereich um den spezifizierten Wert herum in erster
Näherung durch einen exponentialen Zusammenhang
beschreiben. Sofern eine detailliertere Beschreibung
der R-T-Kurve für die Praxis nötig ist, können eine
ganauere Formel und entsprechende tabellierte Werte
bei EPCOS gefunden werden.
8) Im gestrichelten Bereich der Kennlinien muss mit
erhöhten Helligkeitsunterschieden zwischen
Leuchtdioden innerhalb einer Verpackungseinheit
gerechnet werden.
9) Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch).
10) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
11) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a)
die Implantierung in den menschlichen Körper
oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt.
Falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden,
dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in
Gefahr ist.
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
www.osram-os.com
© All Rights Reserved.
Remarks:
1) Brightness groups are tested at a current pulse duration
of 25 ms and a tolerance of ± 11%.Condition for
luminous intensity measurement acc. to CIE127
condition A
2) Due to the special conditions of the manufacturing
processes of LED, the typical data or calculated
correlations of technical parameters can only reflect
statistical figures. These do not necess arily correspond
to the actual parameters of each single product, which
could differ from the typical data and calculated
correlations or the typical characeristic line.
If requested, e.g. because of technical improvements,
these typ. data will be changed without any further
notice.
3) Min. ΦV values are calculated from Iv values.
Brightness values stated on page 2 are measured
without primary optics.
4) Wavelengths are tested at a current pulse duration of 25
ms and a tolerance of ±1 nm.
5) Forward voltages are tested at a current pulse duration
of 1 ms and a tolerance of ±0.1 V.
6) If an optic, such as a hemispherical lens is added, the
luminous flux values can be increased up to 40% for red
and green and 36% for blue.
7) The R-T-Curve of an NTC thermistor can be roughly
described in a restricted range around the rated
temperautre. If a more precise desciption of the R/T
curve is required for practical applications a refined
formular and the corresponding tabulated values can be
found at EPCOS
8) In the range where the line of the graph is broken, you
must expect higher brightness differences between
single LEDs within one packing unit.
9) Dimensions are specified as follows: mm (inch).
10) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
11) Life support devices or systems are intended
(a) to be implanted in the human body,
or
(b) to support and/or maintain and sustain human life. If
they fail, it is reasonable to assume that the health and
the life of the user may be endangered.
