S1WB(A)60B-7062 - Shindengen

Bridge Diode

24 （J534）

特長

デュアルインライン型

Dual In-Line Package

S1WB(A)□/60B

800V 1A

•小型D

IP パッケージ

•高IFSM

• 耐湿性に優れ高信頼性

•Small-DIP

•LargeIFSM

•High-Reliability

■定格表 RATINGS

S1WB（A）□

S1WB（A）60B

単位

Unit

℃

V

A

A2s

V

μA

℃/W

●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespeci

項目

Item

記号

Symbol 条件

Conditions

品名

TypeNo.

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

Tstg

Tj

VRM

IO

IFSM

VF

IR

θjl

θja

50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj=25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃

50Hz正弦波，抵抗負荷，Ta=25℃

50Hz sine wave, Resistance load, Ta=25℃

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

IF=0.5A,

VR=VRM,

接合部・リード間

Junction to Lead

接合部・周囲間

Junction to Ambient

●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespeci

MAX1.0

MAX10

MAX65

−40〜150

150



1

電流二乗時間積

Current Squared Time 1ms≦t＜10ms，Tj=25℃，



I2t



200 600 600



50

16

800

20 60 80 60

30

4.5

１素子当たりの規格値

per diode

）

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS

4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH

5FSNJOBM$POOFDUJPOu

Package：1W Unit:mm

Weight:0.46g（typ.）

Package：1W Unit:mm

Weight:0.46g（typ.）

■外観図 OUTLINE

3.1

4.6

10.5

④

③

①

②

④− ①＋

③〜 ②〜

品名略号

TypeNo.

級表示（例）

Class

ロット記号（例）

Datecode

S1WB

6043

6.5

S1WB

2076

ロット記号（例）

Datecode

級表示（例）

Class

品名略号

TypeNo.

3.1

10.5

③②

④①

④− ①＋

③〜 ②〜

Feature