BC850C - DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

BC846A ... BC850C

SMD General Purpose NPN Transistors

SMD Universal-NPN-Transistoren

IC= 100 mA

hFE = 180/290/520

Tjmax = 150°C

VCEO = 30...65 V

Ptot = 250 mW

Version 2017-07-25

SOT-23

(TO-236)

1 = B 2 = E 3 = C

Dimensions - Maße [mm]

Typical Applications

Signal processing,

Switching, Amplification

Commercial grade 1)

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung,

Schalten, Verstärken

Standardausführung 1)

Features

General Purpose

Three current gain groups

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Universell anwendbar

Drei Stromverstärkungsklassen

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)

Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle

Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.

Case material UL 94V-0 Gehäusematerial

Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen

MSL = 1

Type

Code

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC846A = 1A

BC846B = 1B

BC846C = 1C

BC847A = 1E

BC847B = 1F

BC847C = 1G

BC850A = 1E

BC850B = 1F

BC850C = 1G

BC848A = 1E

BC848B = 1F

BC848C = 1G

BC849A = 1E

BC849B = 1F

BC849C = 1G

BC856 ... BC860

Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)

BC846 BC847 BC850 BC848

BC849

Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 45 V 30 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 50 V 30 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6 V 5 V

Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 3)

Collector current – Kollektorstrom DC IC100 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

2.4

1.3

±0.1

1.1

+0.1

0.4

+0.1

2.9

±0.1

Type

Code

1.9

±0.1

-0.05

-0.2

±0.2

BC846A ... BC850C

Characteristics Kennwerte

Tj = 25°C Min. Typ. Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

VCE = 5 V, IC = 10 µA

Group A

Group B

Group C

hFE

–

150

270

–

VCE = 5 V, IC = 2 mA

Group A

Group B

Group C

hFE

110

200

420

180

290

520

220

450

800

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1)

IC = 10 mA, IB = 0.5 mA

IC = 100 mA, IB = 5 mA VCEsat

–

90 mV

200 mV

250 mV

600 mV

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)

IC = 10 mA, IB = 0.5 mA

IC = 100 mA, IB = 5 mA VBEsat

–

700 mV

900 mV

–

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)

VCE = 5 V, IC = 2 mA

VCE = 5 V, IC = 10 mA VBE

580 mV

–

660 mV

–

700 mV

720 mV

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

VCB = 30 V, (E open)

VCE = 30 V, Tj = 125°C, (E open) ICBO

–

15 nA

5 µA

Emitter-Base cutoff current

VEB = 5 V, (C open) IEBO – – 100 nA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz fT– 300 MHz –

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 3.5 pF 6 pF

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz CEBO – 9 pF –

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 420 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%

Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss