Semiconductor Group 1 1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
●GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
●Hohe Zuverlässigkeit
●Gruppiert lieferbar
●Gehäusegleich mit BPX 81
Anwendungen
●Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Lochstreifenleser
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
●High reliability
●Available in bins
●Same package as BPX 81
Applications
●Miniature photointerrupters
●Punched tape readers
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
LD 261
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GEO06021
2.4
2.1
0.7
0.6
Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)
2.54 mm spacing
1.5
2.1
2.7
2.5
3.2
3.6
3.0
3.5
1.9
1.7
position
Chip
0.25
0.15
1.4
1.0
A
A
0.4
0.5
0.4
Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)
Approx. weight 0.03 g
Detaching area for tools, flash not true to size.1)
5...0
feo06021
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
LD 261 Q62703-Q395 Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenför-
mig im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeich-
nung: Nase am Lötspieß
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs
lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projec-
tion at solder lead
LD 261-5 Q62703-Q67
Semiconductor Group 2 1997-11-01
LD 261
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 80 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj80 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF50 mA
Stoßstrom, τ≤10 µs, D = 0
Surge current IFSM 1.6 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 70 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA
RthJL
750
650 K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 50 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF= 50 m A, tp = 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±15 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.25 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.5 ×0.5 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top H1.3 ... 1.9 mm
LD 261
Semiconductor Group 3 1997-11-01
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω
tr,tf1µs
Kapazität, VR = 0 V
Capacitance Co40 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 50 mA, tp = 20 µsVF1.25 (≤ 1.4) V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 50 mA, tp = 20 ms
Φe9mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 50 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 50 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 50 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 50 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,IF = 50 mA
Temperature coefficient of λpeak,IF = 50 mA TCλ0.3 nm/K
Bezeichnung
Description Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LD 261 LD 261-5
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 50 mA, tp = 20 ms Ie2 ... 6.3 3.2 ... 6.3 mW/sr
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Semiconductor Group 4 1997-11-01
LD 261
Relative spectral emission
Irel =f(λ)
Forward current
IF=f(VF), single pulse, tp = 20 µs
OHRD1938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
106
0
20
40
60
80
%
100
V
OHR01042
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA = f(IF)
Ι
OHR01039
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 A 10
1
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
10
Ι
F
OHR02182
τ
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10 10
-4 -3
10
-2
10
-1
10
0
10s
T
τ
=
D
F
Ι
T
τ
DC
0,5
0,2
0,1
0,05
0
0,005
0,01
0,02
=
D
Max. permissible forward current
IF=f(TA)
T
OHR01124
A
0
F
Ι
0 20406080100C
mA
10
20
30
40
50
60
70
80
T
L
,
R
thJL
= 650 K/W
= 750 K/W
thJA
R
Radiation characteristics Irel =f(ϕ)
OHR01878
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
