N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D 6001N
BIP AC / SMPB 2003-05-27, Schneider / Keller 1/8
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max V
RRM 4500
5000 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 14580 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
TC = 60 °C
IFAVM 6440
9290
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM 118000
110000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 69600
60500
10³ A²s
10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 6000 A
vF
typ.
max.
1,15
1,3
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
max.
0,63
0,674
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T typ.
max.
0,087
0,104
mΩ
mΩ
A 0,3987
B -2,96E-06
C -0,01368
typ.
D 0,01146
A 0,4018
B -0,0000086
C -0,0191
Durchlaßkennlinie 500A ≤ iF ≤ 6000A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
max.
D 0,01436
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM i
R max. 400 mA
prepared by: C. Schneider date of publication: 24.04.2006
approved by: J. Przybilla revision: 2
F
FFF iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
C = 6µF, R = 4,7Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Qr max. 15 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
C = 6µF, R = 4,7Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
IRM max. 400 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 6µF, R = 4,7Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Qr typ. 12 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 100V, Tvj = Tvj max
C = 6µF, R = 4,7Ω
IFM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
IRM typ. 350 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,0048
0,0045
0,00855
0,0095
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,0015
0,003
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 160 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+160 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
101DNE50
Anpresskraft
clamping force
F 63…91 kN
Gewicht
weight
G typ. 2500 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
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Maßbild
12
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,00237 0,00108 0,00073 0,00031 0,00001
beidseitig
two-sided τn [s] 1,03 0,16 0,03 0,0075 0,00052
Rthn [°C/W] 0,00562 0,00083 0,00124 0,00068 0,00018
anodenseitig
anode-sided τn [s] 5,69 0,59 0,139 0,02 0,0058
Rthn [°C/W] 0,00653 0,00072 0,00129 0,0007 0,00026
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 6,08 0,81 0,16 0,025 0,0068
Analytische Funktion / Analytical function: Σ−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
bi
ci
ai
0
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,007
0,008
0,009
0,01
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth JC [K/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
typ. max.
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
00,511,5
vF [V]
iF [A]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Tc beidseitig
VR = 1000V
max .
VR = 100V
typ.
0
5
10
15
20
25
30
010203040
-di/dt [A/µs]
Qr [mAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, C = 6µF, R = 4,7Ω
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Ta bei Sinus
VR = 1000V
max .
VR = 100V
typ.
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
010203040
-di/dt [A/µs]
IRM [A]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, C = 6µF, R = 4,7Ω
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