Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 25°C...Tvj max VRRM 800 V
repetitive peak forward reverse voltage 900 V
1000 V
Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 900 V
non-repetitive peak reverse voltage 1000 V
1100 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert IFRMSM 230 A
RMS forward current
Dauergrenzstrom TC =85°C IFAVM 138 A
mean forward current TC =82°C 146 A
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 1950 A
surge foward current Tvj = Tvj max, tp = 10 ms 1600 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 19000 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 12800 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iF = 450 A vFmax. 2,4 V
forward voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 1,32 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT2,2
m
Ω
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 VFRM 9,5
V
1)
peak value of forward recovery voltage Tvj = Tvj max
diF/dt=100A/µs, vR=0V
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II tfr max. 1,1
µs
1)
forward recovery time Tvj = Tvj max, iFM=diF/dt*tfr
diF/dt=100A/µs, vR=0V
Sperrstrom Tvj = 25°C, vR=VRRM iRmax. 5mA
reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM max. 40 mA
Rückstromspitze DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max IRM 47
A
1)
peak reverse recovery current iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max Qr32
µAs
1)
recovered charge iFM =225 A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max trr 1,1
µs
1)
reverse recovered time iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sanftheit Tvj = Tvj max SR 0,003 µs/A
2)
Softness iFM =225A,-diF/dt=100A/µs
vR=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 30. April 1993 , R.Jöeke
A 13/ 93
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 138 S 08...10 S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided,
Θ
=180°sin max. 0,141 °C/W
beidseitig / two-sided, DC max. 0,133 °C/W
Anode / anode,
Θ
=180°sin max. 0,224 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,216 °C/W
Kathode / cathode,
Θ
=180°sin max. 0,344 °C/W
Kathode / cathode, DC max. 0,336 °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCK
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,015 °C/W
einseitig / single-sided max. 0,030 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+150 °C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 15mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F1,7...3,4 kN
clamping force
Gewicht Gtyp. 65 g
weight
Kriechstrecke 17 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 138 S 08...10 S
Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
beidseitig Rthn [°C/W] 0,00694 0,0131 0,023 0,0335 0,0552
two-sided
τ
n [s] 0,000727 0,00909 0,0281 0,134 0,529
anodenseitig Rthn [°C/W] 0,00755 0,0246 0,0215 0,0799 0,0683
anode-sided
τ
n [s] 0,000812 0,0132 0,064 0,412 1,88
kathodenseitig Rthn [°C/W] 0,00784 0,0277 0,022 0,0947 0,115
cathode-sided
τ
n [s] 0,000855 0,0143 0,123 0,473 2,17
n
max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
= ∑
Rthn ( 1 - EXP ( - t /
τ
n ))
n=1
SZ-M / 30. April 1993, R.Jörke Seite/page 4
0,0691
10
0,0011
2,27
0,0141
10,8
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 138 S 08...10 S
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
100
200
300
400
500
600
0,5 11,5 22,5 3
vF [V]
iF[A]
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