VWK February 1996
Marketing Information
TT 425 N
6G
7K
M10
screwing depth
max. 18,0plug A 2,8 x 0,8
31 50 44
144
25
100
124
112
25
6
4K
5G
1
2
3
AK
G
KA
KGK
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
TT 425 N, TD 425 N, DT 425 N
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state
and reverse voltages tvj = -40°C... tvj max VDRM, VRRM
800 1000 1200
1400 1600 1800 V 1)
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-
state voltage reverse voltage tvj = -40°C... tvj max VDSM
800 1000 1200
1400 1600 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzenspannung non-repetitive peak voltage tvj = +25°C... tvj max VRSM
900 1100 1300
1500 1700 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current
I
TRMSM
800
A
Dauergrenzstrom average on-state current
t
c
= 85°C
I
TAVM
425
A
t
c
= 74°C
510
A
Stoßstrom-Grenzwert surge current
t
vj
= 25°C, t
p
I
TSM
14,5
kA
t
vj
= t
vj max
, t
p
12,5
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
I
2
t
1051 . 10
3
A
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
781 . 10
3
A
2
s
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
120
A/µs
f = 50 Hz, I
GM
= 1 A, di
G
= 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM (dvD/dt)cr
6.Kennbuchstabe/6th letter F 1000 V/µs
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 1,5 kA
v
T
max.1,5
V
Schleusenspannung threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,9
V
Ersatzwiderstand slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
0,3
m
Ω
Zündstrom gate trigger current
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
I
GT
max. 250
mA
Zündspannung gate trigger voltage
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
V
GT
max.1,5
V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max.10
mA
t
vj
= t
vj max
, v
D
DRM
max.5
mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
DRM
V
GD
max.0,2
V
Haltestrom holding current
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
I
H
max. 300
mA
Einraststrom latching current
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
Ω
I
L
max. 1500
mA
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
forward off-state and reverse
currents
tvj = tvj max iD, iRmax. 80 mA
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zündverzug gate controlled delay time
DIN IEC 747-6, t
vj
= 25°C
t
gd
max. 4
µs
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
t
q
typ.250
µs
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs,-di
T
/dt = 10A/µs
5.Kennbuchstabe/5th letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
3
kV
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec 3,6 kV
Thermische Eigenschaften Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction
pro Modul/per module,
Θ
=180° sin
R
thJC
max.0,0390
°C/W
pro Zweig/per arm, Θ =180° sin max.0,0780 °C/W
to case pro Modul/per module, DC max.0,0373 °C/W
pro Zweig/per arm, DC max.0,0745 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to
pro Modul/per module
R
thCK
max.0,01
°C/W
pro Zweig/per arm max.0,02 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature
t
vj max
125
°C
Betriebstemperatur operating temperature
t
c op
-40...+125
°C
Lagertemperatur storage temperature
t
stg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Gehäuse, siehe Seite case, see page 1
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation internal insulation AlN
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung mounting torque Toleranz/tolerance +/- 15% M1 6Nm
Anzugsdrehmoment für
elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz/tolerance +5%/-10% M2 12 Nm
Gewicht weight Gtyp.1500 g
Kriechstrecke creepage distance 19 mm
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
1)
1800 V auf Anfrage / 1800 V on demand
TT 425 N
Ptot
[W]
TT 425 N/6
0
1000
2000
20 40 60 80 100 1200 0
tA [°C]
500 1000 1500
Id [A]
3000
4000
500
1500
2500
3500
0.300
0.200
0.150
0.120
0.100
0.080
0.060
0.050
0.040
0.030
0.025
0.020
0.015 0.010
tC
[°C]
0 200 400 600 800
20
40
60
80
100
ITAVM
TT 425 N/4
120
140
[A]
100 300 500 700
DC
tC
[°C]
0100 200 300 400 500 600
20
40
60
80
100
ITAV [A]
TT 425 N/2
120
140
0Θ
θ=30°60°90°120°180°
PTAV
[W]
TT 425 N/1
0
0100 200 300 400 500 600
200
400
600
ITAV [A]
θ=30°
60°
90°120°180°
100
300
700
0Θ
PTAV
[W]
0 200 400 600 800
200
400
600
800
1000
ITAV [A]
TT 425 N/3
0100 300 500 700
60°90°120°
180°
DC
θ=30°
0θ
Ptot
[W]
TT 425 N/5
0
1000
2000
3000
20 40 60 80 1001200 0 400 800 1200
tA [°C] Id [A]
L-Last
L-load
R-Last
R-load
500
1500
2500
0.300
0.200
0.150
0.120
0.100
0.080
0.060
0.050
0.040
0.030
0.025
0.020
0.015 0.010
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
PTAV = f(ITAV)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
tC = f(ITAVM)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
tC = f(ITAVM)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
PTAV = f(ITAV)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
RthCA[°C/W]
Bild / Fig. 5
B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current Id
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient RthCA
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current Id
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient RthCA
0θ
θ=30°60°90°120°180°DC
RthCA[°C/W]
TT 425 N
Ptot
[W]
TT 425 N/7
020 40 60 80 1001200 0
RthCA[°C/W]
tA [°C] IRMS [A]
400 800 1200
200
400
600
800
1200
1400
0.300
0.200
0.150
0.120
0.100
0.080
0.060
0.050
0.040 0.030 0.020
0.400
0.600
IT(OV)M
[kA]
TT 425 N/9
0
10
0.01 0.02 0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t [s]
2
4
6
8
12
a
b
VG [V]
TT 425 N/11
101
100
102103104105
101
10-1
2
3
4
6
2
3
4
6
2
3
2 3 4 5 6 2 3 4 5 62 3 4 5 62 3 4 5 6
iG [mA]
tvj=+125°C
cd
ab
b
Ptot
[W]
020 40 60 80 100 1200 0
RthCA[°C/W]
tA [°C] IRMS [A]
400 800 1200
500
1000
1500
2000
2500
3500
4000
0.300
0.200
0.150
0.120
0.100
0.080
0.060
0.050
0.040
0.030
0.025
0.020
0.015 0.010
TT 425 N/8
Qr [µAs]
TT 425 N/10
1 2 3 4 5 6 7 10 20 30 40 50 70 100
100
200
300
400
500
700
1000
2000
4000
5000
10000
-di/dt [A/µs]
iTM=
100A
50A
20A
2000A
1000A
tgd
[µs]
TT 425 N/12
10-210-1100101
2 2 23 3 35 5 5
iG [A]
10-1
100
101
102
103
2
2
2
2
3
3
3
3
5
5
5
5
a
b
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Qr = f(-di/dt)
tvj = tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
Bild / Fig. 9
Grenzstrom je Zweig IT(OV)M. Belastung aus Leerlauf, VRM = 0,8 VRRM
Maximum overload on- state current per arm IT(OV)M. Surge current under
no-load conditions, VR = 0,8 VRRM
a - tA = 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
b - tA = 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
Bild / Fig. 11
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, vG = f(iG), vD = 6 V
Parameter: a b c d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration tg [ms] 10 1 0,5 0,1
________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 40 80 100 150
________________________________________________________
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current IRMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the
circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient RthCA
Bild / Fig. 8
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circui
t
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
phase IRMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient RthCA
TT 425 N
Z(th) JC
[°C/W]
TT 425 N/13
0.08
0.06
0.04
0.02
0
t [s]
10-310-210-1100101102
0.1
θ=
30°
60°
90°
120°
180°
0ΘZ(th)JC
[°C/W]
10-310-210-1100101102
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0
TT 425 N/14 t [s]
0.12
30°
60°
90°
120°
180°
DC
0θ
Pos. n1234567
Rthn
[°C/W]
τn [s]
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
Σ
n=1
ZthJC = Rthn (1-e )
t
-
τn
0,00194 0,00584
0,000732 0,00824 0,01465 0,0254 0,0267
0,108 0,57 3
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z(th)JC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z(th)JC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ