Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 25°C...Tvj max VRRM 200, 400 V
repetitive peak reverse voltage 600 V
Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 250, 450 V
non-repetitive peak reverse voltage 650 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert IFRMSM 10050 A
RMS forward current
Dauergrenzstrom TK = 116 °C IFAVM 6400 A
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms IFSM 81 kA
surge forward current Tvj = Tvj max, tp = 10ms 70 kA
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 32,8
A²s*10
6
I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 24,5
A²s*10
6
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iF = 10kA vFmax. 1,15 V
forward voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,7 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT0,04
m
Ω
forward slope resistance
Sperrstrom Tvj = Tvj max, vR = VRRM iRmax. 100 mA
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided,
= 180°sin max. 0,00750 °C/W
beidseitig / two-sided, DC max. 0,00715 °C/W
Anode / anode,
Θ
= 180°sin max. °C/W
Anode / anode, DC max. °C/W
Kathode / cathode,
Θ
= 180°sin max. °C/W
Kathode / cathode, DC max. °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCK
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0025 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 180 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur Tc op - 40...+180 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg - 40...+180 °C
storage temperature
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anpreßkraft F40...60 kN
clamping force
Gewicht G
typ.
110 g
weight
Kriechstrecke mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Ring.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N
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Z. Nr.: 1
Seite/page 3
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor 56 DN 02 ... 06 N
Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n 12345 67
beidseitig Rthn [°C/W] 0,000016 0,000121 0,000939 0,00043 0,00078 0,00095 0,0039
two-sided
τ
n [s] 0,000018 0,000254 0,00111 0,00752 0,00227 0,10700 0,3280
anodenseitig Rthn [°C/W]
anode-sided
τ
n [s]
kathodenseitig Rthn [°C/W]
cathode-sided
τ
n [s]
n
max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
=
∑
Rthn ( 1 - EXP ( - t /
τ
n ))
n=1
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
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0
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
0,5 11,5 2
vT [V]
iT [A]
Technische Information / Technical Information ?
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z
(th)JC
= f (t), DC
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Z. Nr.: 3
Seite/page 6
0,000
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,007
0,008
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
R (thJC) [°C/W]
DC
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values
of thermal for pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
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0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
0,012
30 60 90 120 150 180
Θ [ ° el ]
∆ RthJC [°C / W ]
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Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp
Normalized
∫
i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
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Seite/page 8
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
tp [ms]
∫
i² dt (normiert)
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N
i
FM
[ A ]
6400
3200
1600
800
400
200
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
T
vj
= T
vjmax
; V
R
= 0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / Foward current i
FM
RC-Glied / RC network : R = 1,5 Ω , C = 3,3 µF
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Z. Nr.: 6
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100
1.000
10.000
0,1 1 10 100 1000
- diF / dt [A/µs ]
Qr [ µAs ]