Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Vorlaufige Daten Preliminary data Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj = - 25C...Tvj max VRRM 200, 400 600 V V Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25C...Tvj max VRSM 250, 450 650 V V 10050 A 6400 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM Dauergrenzstrom mean forward current T K = 116 C IFAVM Stostrom-Grenzwert surge forward current T vj = 25C, tp = 10ms IFSM 81 70 T vj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral It-value T vj = 25C, tp = 10ms It T vj = Tvj max, tp = 10ms kA kA 32,8 24,5 As*106 As*106 1,15 V 0,7 V Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung forward voltage T vj = Tvj max, iF = 10kA vF Schleusenspannung threshold voltage T vj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand forward slope resistance T vj = Tvj max rT Sperrstrom reverse current T vj = Tvj max, vR = VRRM iR max. max. 0,04 m 100 mA Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided, = 180sin RthJC beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, = 180sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180sin Kathode / cathode, DC Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kuhlflache / cooling surface T vj max Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature A119 /98 C/W C/W C/W C/W C/W C/W max. C/W RthCK beidseitig / two-sided Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther max. 0,00750 max. 0,00715 max. max. max. max. 0,0025 180 C T c op - 40...+180 C T stg - 40...+180 C Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Vorlaufige Daten Preliminary data Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Anprekraft clamping force F Gewicht weight G 40...60 typ. 110 Kriechstrecke creepage distance kN g mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s Hinweis : Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbestandigen O-Ring zu schutzen. Notice: We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther A119 /98 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther 56 DN 02 ... 06 A119 /98 Z. Nr.: 1 N Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier DiodeThyristor 56 DN 02 ... 06 N Kuhlung Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes ZthJC fur DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 beidseitig Rthn [C/W] 0,000016 0,000121 0,000939 0,00043 0,00078 0,00095 0,0039 two-sided n [s] 0,000018 0,000254 0,00111 0,00752 0,00227 0,10700 0,3280 anodenseitig Rthn [C/W] anode-sided n [s] kathodenseitig Rthn [C/W] cathode-sided n [s] n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = = Rthn ( 1 - EXP ( - t / n )) n=1 SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther A119 /98 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N 25.000 20.000 iT [A] 15.000 10.000 5.000 0 0,5 1 1,5 2 vT [V] Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vT) Tvj = Tvj max SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther A119 /98 Z. Nr.: 2 Seite/page 5 ? Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N 0,008 DC 0,007 0,006 R (thJC) [C/W] 0,005 0,004 0,003 0,002 0,001 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Transienter innerer Wa rmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f (t), DC SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther A119 /98 Z. Nr.: 3 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N 0,012 0,010 RthJC [C / W ] 0,008 0,006 0,004 0,002 0,000 30 60 90 120 150 180 [ el ] Differenz zwischen den Warmewiderstanden fur Pulsstrom und DC / Difference between the values of thermal for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther A119 /98 Z. Nr.: 4 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N 1 0,9 0,8 i dt (normiert) 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 tp [ms] Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp Normalized idt rating as a function of the duration of a half-cycle tp SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther A119 /98 Z. Nr.: 5 Seite/page 8 10 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode 56 DN 02 ... 06 N iFM [ A ] 10.000 6400 3200 1600 800 400 Qr [ As ] 200 1.000 100 0,1 1 10 100 1000 - diF / dt [A/s ] Sperrverzogerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt) Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlastrom / Foward current iFM RC-Glied / RC network : R = 1,5 , C = 3,3 F SZ-M / 11.11.98 K.-A.Ruther A119 /98 Z. Nr.: 6 Seite/page 9