2009-03-05 1
200 9- 03- 0 5
SMT Multi TOPLED
SMT Multi TOPLED
Version 1.0
SFH 331
Ordering Information
Bestellinformation
Features: Besondere Merkmale:
• SMT package with red emitter (635 nm) and
Si-phototransistor
• SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und
Si-Fototransistor
• Suitable for SMT assembly • Geeignet für SMT-Bestückung
• Available on tape and reel • Gegurtet lieferbar
• Emitter and detector can be controlled separately • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar
Applications Anwendungen
• Data transmission • Datenübertragung
• Lock bar • Wegfahrsperre
• Infrared interface • Infrarotschnittstelle
Type: Ordering Code
Typ: Bestellnummer
SFH 331-JK Q65110A2821
2009-03-05 2
Version 1.0 SFH 331
Maximum Ratings
Grenzwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 100 °C
Junction temperature
Sperrschichttemperatur
Tj(max) 100 °C
LED
Forward current
Durchlassstrom
IF30 mA
Surge current
Stoßstrom
(tp ≤ 10 μs, D = 0.005)
IFSM 0.5 A
Reverse voltage
Sperrspannung
VR5V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 100 mW
Thermal resistance junction - ambient 1) page 16
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1) Seite 16
RthJA 450 K / W
Thermal resistance junction - solder point
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad
RthJS 350 K / W
Phototransistor
Fototransistor
Collector current
Kollektorstrom
IC15 mA
Surge current
Stoßstrom
(τ ≤ 10 μs)
IFSM 0.075 A
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
VCE 35 V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 165 mW
Thermal resistance 1) page 16
Wärmewiderstand 1) Seite 16
RthJA 450 K / W
Version 1.0 SFH 331
2009-03-05 3
Characteristics
Kennwerte
Note: The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the operating status of the other
one.
Anm: Die angegebenen Grenzdaten gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhängig vom
Betriebszustand des anderen.
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
LED
(TA = 25 °C)
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(IF = 10 mA)
λpeak 635 nm
Dominant wavelength
Dominantwellenlänge
(IF = 10 mA)
λdom 628 nm
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
(IF = 10 mA)
Δλ 45 nm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 60 °
Rise and fall times of Ie ( 10% and 90% of Ie max)
Schaltzeiten von Ie ( 10% und 90% von Ie max)
(IF = 100 mA, tp = 10 μs, RL = 50 Ω)
tr / tf300 / 150 ns
Capacitance
Kapazität
(VR = 0 V, f = 1 MHz)
C012 pF
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 10 mA)
VF2 (≤ 2.6) V
Reverse current
Sperrstrom
(VR = 5 V)
IR0.01 (≤ 10) µA
Luminous intensity (group JK)
Lichtstärke (Gruppe JK)
(IF = 10 mA)
IV6 (4 ... 12.5) mcd
2009-03-05 4
Version 1.0 SFH 331
Phototransistor
Fototransistor
(TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max 990 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
(S = 10% of Smax)
λ440 ... 1150 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
(∅ = 240 μm)
A 0.038 mm2
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
L x W 0.45 x 0.45 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 60 °
Capacitance
Kapazität
(VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCE 5pF
Dark current
Dunkelstrom
(VCE = 20 V, E = 0)
ICE0 1 (≤ 50) nA
Photocurrent
Fotostrom
(λ = 950 nm, Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V)
IPCE ≥ 16 µA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(IC = 1 mA, VCE = 5 V, RL = 1 kΩ)
tr, tf7µs
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
(IC = 5 μA, Ee = 0.1 mW/cm2)
VCEsat 150 mV
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Version 1.0 SFH 331
2009-03-05 5
Diagrams LED
Diagramme LED
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
Irel = f(λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA, V(λ) = Standard Eye Response Curve
%
rel
λ
OHL02350
Vλ
100
80
60
40
20
0400 450 500 550 600 650 700
nm
Φ
super-red
2009-03-05 6
Version 1.0 SFH 331
Forward Current
Durchlassstrom
IF = f(VF), TA = 25 °C
Relative Luminous Intensity
Relative Lichtstärke
Iv / Iv(10 mA)= f(IF), TA = 25 °C
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
IF, max = f(TA)
10
-1
V
5
super-red
OHL02351
Ι
F
F
V
0
10
1
10
2
10
5
mA
1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4
V
V
(10mA)
10
-1 0
10 10
12
10
mA
10
-3
5
OHL02316
F
Ι
5
-2
10
5
-1
10
0
10
1
10
Ι
Ι
55
super-red
OHL01686
s10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
DI
TT
P
F
t
P
=
D
=0.005
0.01
0.02
0.05
0.2
0.5
DC
10
1
5
I
F
t
2
10
0.1
p
10
3
mA
60
OHL01661
Ι
F
0100604020
A
800
T
10
20
30
40
50
˚C
mA
Version 1.0 SFH 331
2009-03-05 7
Wavelength at Peak Emission
Max. der spektralen Emission
λpeak = f(TA), IF = 20 mA
Dominant Wavelength
Dominantwellenlänge
λdom = f(TA), IF = 20 mA
Forward Voltage
Durchlassspannung
VF = f(TA), IF = 10 mA
Relative Luminous Intensity
Relative Lichtstärke
Iv / Iv(25 °C) = f(TA), IF = 10 mA
green
yellow
orange
super-red
pure-green
550
OHL02104
λpeak
˚C0 20 40 60 80 100
570
590
610
630
650
nm
690
A
T
yellow
green
orange
super-red
pure-green
550
OHL02105
λ
dom
˚C
A
T
0 20 40 60 80 100
570
590
610
630
650
nm
690
green
super-red
orange
yellow pure-green
1.4
OHL02106
V
F
˚C
A
T
0 20 40 60 80 100
1.6
1.8
2.0
2.2
V
2.4
2009-03-05 8
Version 1.0 SFH 331
Diagrams Phototransistor
Diagramme Fototransistor
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(Ee), VCE = 5 V
0
OHF00207
400
S
rel
λ
nm
%
500 600 700 800 900 1100
10
20
30
40
50
60
70
80
100
E
OHF01924
e
PCE
Ι
10
-1
10
-3
10
-2
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
2
mW/cm
2
3
4
μA
Version 1.0 SFH 331
2009-03-05 9
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(VCE), Ee = Parameter
Photocurrent
Fotostrom
IPCE / IPCE(25°C)= f(TA), VCE = 5 V
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(VCE), E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(TA), VCE = 5 V, E = 0
V
OHF01529
CE
PCE
Ι
0
0
10
10
-2
10
-1
mA
V
5 10 15 20 25 30 35
mW
cm
2
0.1
0.25
2
cm
mW
0.5
2
cm
mW
1
2
cm
mW
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
025 50 75 100
Ι
PCE
PCE
Ι
25
C
V
OHF01527
CE
CEO
Ι
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0 5 10 15 20 25 30 35V
nA
T
OHF01530
A
CEO
Ι
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
-25
nA
025 50 75 100
˚C
2009-03-05 10
Version 1.0 SFH 331
Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
V
OHF01528
CE
-2
10
CE
C
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
pF
OHF00871
tot
P
00
40
80
120
160
mW
200
20 40 60 80 ˚C 100
TA
Version 1.0 SFH 331
2009-03-05 11
LED Radiation Characteristics / Phototransistor Directional Characteristics
LED Abstrahlcharakteristik / Phototransistor Winkeldiagramm
Irel = f(ϕ) / Srel = f(ϕ)
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
ϕ
1.0 0.8 0.6 0.4
0˚10˚20˚40˚ 30˚
OHL01660
50˚
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚
GPLY6924
CA
EC
32
41
0.4 (0.016)
0.6 (0.024)
0.18 (0.007)
0.12 (0.005)
0.1 (0.004) typ
0.5 (0.020)
1.1 (0.043)
0.7 (0.028)
0.9 (0.035)
1.7 (0.067)
2.1 (0.083)
0.6 (0.024)
0.8 (0.031)
2.3 (0.091)
2.1 (0.083)
2.6 (0.102)
3.0 (0.118)
3.0 (0.118)
3.4 (0.134)
(2.4 (0.094))
Package marking
Emission color : super-red (SFH 331)
3.3 (0.130)
3.7 (0.146)
2009-03-05 12
Version 1.0 SFH 331
Package Multi TOPLED
Gehäuse Multi TOPLED
Recommended Solder Pad
Empfohlenes Lötpaddesign
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Soldering Conditions Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC
J-STD-020D.01
Lötbedingungen Vorbehandlung: JEDEC Level 2 gemäß JEDEC
J-STD-020D.01
OHLPY439
Padgeometrie für
verbesserte Wärmeableitung
improved heat dissipation
Paddesign for
Lötstoplack
Solder resist
1.1 (0.043)
4.5 (0.177)
1.5 (0.059)
2.6 (0.102)
3.3 (0.130)
0.5 (0.020)
7.5 (0.295)
0.4 (0.016)
Cathode marking
Kathoden Markierung / Cu Fläche / 12 mm per pad
2
Cu-area
_
<
3.3 (0.130)
Version 1.0 SFH 331
2009-03-05 13
Reflow Soldering Profile
Reflow-Lötprofil
0
0s
OHA04525
50
100
150
200
250
300
50 100 150 200 250 300
t
T
˚C
S
t
t
P
t
T
p
240 ˚C
217 ˚C
245 ˚C
25 ˚C
L
OHA04612
Profile Feature
Profil-Charakteristik
Ramp-up rate to preheat*
)
25 °C to 150 °C
23K/s
Time t
S
T
Smin
to T
Smax
t
S
t
L
t
P
T
L
T
P
100 12060
10 20 30
80 100
217
23
245 260
36
Time
25 °C to T
P
Time within 5 °C of the specified peak
temperature T
P
- 5 K
Ramp-down rate*
T
P
to 100 °C
All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component
* slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range
Ramp-up rate to peak*
)
T
Smax
to T
P
Liquidus temperature
Peak temperature
Time above liquidus temperature
Symbol
Symbol
Unit
Einheit
Pb-Free (SnAgCu) Assembly
Minimum MaximumRecommendation
K/s
K/s
s
s
s
s
°C
°C
480
2009-03-05 14
Version 1.0 SFH 331
TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
OHLY0598
0
0
50 100 150 200 250
50
100
150
200
250
300
T
t
C
s
235 C
10 s
C... 260
1. Welle
1. wave
2. Welle
2. wave
5 K/s 2 K/s
ca 200 K/s
CC... 130100
2 K/s Zwangskühlung
forced cooling
Normalkurve
standard curve
Grenzkurven
limit curves
Version 1.0 SFH 331
2009-03-05 15
Disclaimer Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
2009-03-05 16
Version 1.0 SFH 331
Glossary Glossar
1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each
1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2
Version 1.0 SFH 331
2009-03-05 17
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
www.osram-os.com © All Rights Reserved.