2014-01-14 1
201 4- 01- 1 4
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.1
BP 103
Ordering Information
Bestellinformation
Features: Besondere Merkmale:
•Spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1100
nm
•Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
(typ) 450 ... 1100 nm
•Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed,
Epoxy
•Gehäuse: Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch
dicht, Harz
•Special: Base connection • Besonderheit: Basisanschluss
• High linearity • Hohe Linearität
Applications Anwendungen
• Photointerrupters • Lichtschranken
• Industrial electronics • Industrieelektronik
• For control and drive circuits • Messen / Steuern / Regeln
• Computer-controlled flashes • Computer-Blitzlichtgeräte
Type: Photocurrent Ordering Code
Typ: Fotostrom Bestellnummer
λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE [µA]
BP 103 > 80 Q62702P0075
BP 103-3/4 125 ... 400 Q62702P3577
Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
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Version 1.1 BP 103
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 80 °C
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
VCE 35 V
Collector current
Kollektorstrom
IC100 mA
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
ICS 200 mA
Emitter-base voltage
Emitter-Basis-Spannung
VEB 7V
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
VEC 7V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 150 mW
Thermal resistance
Wärmewiderstand
RthJA 500 K / W
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max 850 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10% 450 ... 1100 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A0.11mm
2
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
L x W 0.55 x 0.55 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 55 °
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V)
IPCB 1μA
Version 1.1 BP 103
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Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(EV = 1000 lx, Std. Light A, VCE = 5 V)
IPCB 3μA
Capacitance
Kapazität
(VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCE 7.5 pF
Capacitance
Kapazität
(VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCB 13 pF
Capacitance
Kapazität
(VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CEB 19 pF
Dark current
Dunkelstrom
(VCE = 20 V, E = 0)
ICE0 1 (≤ 50) nA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(IC = 1 mA, VC= 5 V, RL = 1 kΩ)
tr, tf8µs
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
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Version 1.1 BP 103
Grouping (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Gruppierung
Group Min Photocurrent Max
Photocurrent
Typ Photocurrent Rise and fall time
Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und
Abfallzeit
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
EV = 1000 lx, Std.
Light A, VCE = 5 V
IC = 1 mA,
VC= 5 V, RL = 1 kΩ
IPCE, min [µA] IPCE, max [µA] IPCE [µA] tr, tf [µs]
BP 103-2 80 160 380 5
BP 103-3 125 250 600 7
BP 103-4 200 400 950 9
BP 103-5 320 1400 12
Group Collector-emitter saturation
voltage
Current gain
Gruppe Kollektor-Emitter
Sättigungsspannung
Stromverstärkung
IC = IPCEmin x 0.3,
Ee= 0.5 mW/cm2
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
VCEsat [mV] IPCE / IPCB
BP 103-2 150 120
BP 103-3 150 190
BP 103-4 150 300
BP 103-5 150 480
Note.: IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.: IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
Version 1.1 BP 103
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Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(Ee), VCE = 5 V
Collector Current
Kollektorstrom
IC = f(VCE), IB = Parameter
Collector Current
Kollektorstrom
IC = f(VCE), IB = Parameter
400
0nm
%
OHF04042
20
40
60
80
100
λ
rel
S
10
30
50
70
500 600 700 800 900 1100
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Version 1.1 BP 103
Photocurrent
Fotostrom
IPCE / IPCE(25°C) = f(TA), VCE = 5 V
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(VCE), E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(TA), E = 0
Collector-Base Capacitance
Kollektor-Basis Kapazität
CCB = f(VCB), f = 1 MHz, E = 0
OHF04049
V
CE
0
10
101
10-1
10-2
CEO
I
nA
0V510 15 20 25 30 35
nA
OHF04050
CEO
I
A
T
-2
10
-1
10
100
1
10
102
3
10
104
-25 0 25 50 75 100˚C
0
pF
OHF04053
CB
C
CE
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
2
4
6
8
10
12
14
16
Version 1.1 BP 103
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Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0
Emitter-Base Capacitance
Emitter-Basis Kapazität
CEB = f(VEB), f = 1 MHz, E = 0
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
0
pF
OHF04051
CE
C
CE
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
1
2
3
4
5
6
7
8
0
pF
OHF04054
EB
C
EB
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
2
4
6
8
10
12
14
16
18
22
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Version 1.1 BP 103
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
3.6 (0.142)
3.0 (0.118)
ø4.3 (0.169)
ø4.1 (0.161)
GETY6017
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
ø5.2 (0.205)
ø5.5 (0.217)
2.54 (0.100)
spacing
E C B
ø0.45 (0.018)
(2.7 (0.106))
Chip position sensitive area
Radiant
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
Version 1.1 BP 103
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TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
0
0s
OHA04645
50
100
150
200
250
300
t
T
˚C
235 ˚C - 260 ˚C
First wave
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240
Second wave
10 s max., max. contact time 5 s per wave
Preheating
T
Δ
100 ˚C
120 ˚C
130 ˚C
Typical
Cooling
ca. 3.5 K/s typical
ca. 2 K/s
ca. 5 K/s
Continuous line: typical process
Dotted line: process limits
< 150 K
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Version 1.1 BP 103
Disclaimer Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
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finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
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2014-01-14 11
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