2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 Features: Besondere Merkmale: * Spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1100 nm * Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy * Special: Base connection * High linearity * Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: (typ) 450 ... 1100 nm * Gehause: Metall Gehause (TO-18), hermetisch dicht, Harz * Besonderheit: Basisanschluss * Hohe Linearitat Applications Anwendungen * * * * Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes * * * * Lichtschranken Industrieelektronik Messen / Steuern / Regeln Computer-Blitzlichtgerate Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Typ: Fotostrom Ordering Code Bestellnummer 2 = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm , VCE = 5 V IPCE [A] BP 103 > 80 Q62702P0075 BP 103-3/4 125 ... 400 Q62702P3577 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) 2014-01-14 1 Version 1.1 BP 103 Maximum Ratings (TA = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 80 C Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung VCE 35 V Collector current Kollektorstrom IC 100 mA Collector surge current Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) ICS 200 mA Emitter-base voltage Emitter-Basis-Spannung VEB 7 V Emitter-collector voltage Emitter-Kollektor-Spannung VEC 7 V Total power dissipation Verlustleistung Ptot 150 mW Thermal resistance Warmewiderstand RthJA 500 K/W Characteristics (TA = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Werte Unit Bezeichnung Symbol Wavelength of max. sensitivity Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit S max 850 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 10% 450 ... 1100 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Flache A Dimensions of chip area Abmessung der Chipflache LxW Half angle Halbwinkel Photocurrent of collector-base photodiode Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode ( = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V) IPCB 2014-01-14 2 Einheit 0.11 mm2 0.55 x 0.55 mm x mm 55 1 A Version 1.1 BP 103 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent of collector-base photodiode Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode (EV = 1000 lx, Std. Light A, VCE = 5 V) IPCB 3 A Capacitance Kapazitat (VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CCE 7.5 pF Capacitance Kapazitat (VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CCB 13 pF Capacitance Kapazitat (VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CEB 19 pF Dark current Dunkelstrom (VCE = 20 V, E = 0) ICE0 1 ( 50) nA Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (IC = 1 mA, VC= 5 V, RL = 1 k) tr, tf 8 s 2014-01-14 3 Version 1.1 BP 103 Grouping (TA = 25 C, = 950 nm) Gruppierung Group Min Photocurrent Max Photocurrent Typ Photocurrent Rise and fall time Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V EV = 1000 lx, Std. IC = 1 mA, Light A, VCE = 5 V VC= 5 V, RL = 1 k IPCE, min [A] IPCE, max [A] IPCE [A] Anstiegs- und Abfallzeit tr, tf [s] BP 103-2 80 160 380 5 BP 103-3 125 250 600 7 BP 103-4 200 400 950 9 BP 103-5 320 1400 12 Group Collector-emitter saturation voltage Current gain Gruppe Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Stromverstarkung IC = IPCEmin x 0.3, Ee= 0.5 mW/cm2 Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEsat [mV] IPCE / IPCB BP 103-2 150 120 BP 103-3 150 190 BP 103-4 150 300 BP 103-5 150 480 Note.: IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group. Anm.: IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 2014-01-14 4 Version 1.1 BP 103 Photocurrent Fotostrom IPCE = f(Ee), VCE = 5 V Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Srel = f() 100 OHF04042 Srel % 80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 Collector Current Kollektorstrom IC = f(VCE), I B = Parameter Collector Current Kollektorstrom IC = f(VCE), IB = Parameter 2014-01-14 5 Version 1.1 BP 103 Dark Current Dunkelstrom ICEO = f(VCE), E = 0 Photocurrent Fotostrom IPCE / IPCE(25C) = f(TA), VCE = 5 V OHF04049 10 1 nA I CEO 10 0 10 -1 10 -2 0 5 10 15 20 25 30 V 35 VCE Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis Kapazitat CCB = f(VCB), f = 1 MHz, E = 0 Dark Current Dunkelstrom ICEO = f(TA), E = 0 OHF04050 10 4 nA OHF04053 16 pF C CB 14 I CEO 10 3 12 10 2 10 10 1 8 6 10 0 4 10 -1 2 10 -2 -25 0 25 50 0 -3 10 75 C 100 2014-01-14 10 -2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VCE TA 6 Version 1.1 BP 103 Emitter-Base Capacitance Emitter-Basis Kapazitat CEB = f(VEB), f = 1 MHz, E = 0 Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazitat CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0 OHF04051 8 pF C CE 7 C EB OHF04054 22 pF 18 6 16 5 14 12 4 10 3 8 6 2 4 1 0 -3 10 2 10 -2 10 -1 10 0 0 -3 10 10 1 V 10 2 Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(TA) 2014-01-14 10 -2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VEB VCE 7 Version 1.1 BP 103 Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f() (0 3) .04 5) .03 (0 0.9 3.6 (0.142) 12.5 (0.492) 3.0 (0.118) (0 1.1 1.1 14.5 (0.571) E C B 2.54 (0.100) spacing o0.45 (0.018) 0.9 (2.7 (0.106)) o4.3 (0.169) o4.1 (0.161) Radiant sensitive area Chip position (0 .04 .03 3) 5) Package Outline Mazeichnung o5.5 (0.217) o5.2 (0.205) GETY6017 Dimensions in mm (inch). / Mae in mm (inch). 2014-01-14 8 Version 1.1 BP 103 TTW Soldering Wellenloten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW OHA04645 300 10 s max., max. contact time 5 s per wave C T 250 235 C - 260 C First wave Second wave Continuous line: typical process Dotted line: process limits T < 150 K 200 Cooling Preheating ca. 3.5 K/s typical 150 ca. 2 K/s 130 C 120 C 100 C 100 ca. 5 K/s Typical 50 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 s 240 t 2014-01-14 9 Version 1.1 BP 103 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you - get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Anderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen konnen die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Fur weitere Informationen zu gewunschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nachstgelegene Vertriebsburo. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zuruck, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Fur Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zuruckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mussen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, mussen fur diese Zwecke ausdrucklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* durfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverstandnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems fuhren wird oder die Sicherheit oder Effektivitat dieses Apparates oder Systems beeintrachtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind fur (a) die Implantierung in den menschlichen Korper oder (b) fur die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-01-14 10 Version 1.1 BP 103 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstrae 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com (c) All Rights Reserved. 2014-01-14 11