GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat 0.6 0.4 fexf6626 0.4 0.6 o4.8 o5.1 0.4 0.8 spacing 2.54mm 1.8 1.2 9.0 8.2 GEO06645 Chip position Approx. weight 0.2 g 5.9 5.5 0.6 0.4 4.0 3.4 Chip position GEX06630 fex06630 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) o5.1 o4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 Approx. weight 0.4 g Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt GaAs infrared emitting diodes, fabricated in im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearitat (Ie = f [IF]) bei hohen Stromen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlassigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit SFH 415: Gehausegleich mit SFH 300, SFH 203 Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeraten, Videorecordern, Lichtdimmern Geratefernsteuerungen Semiconductor Group a liquid phase epitaxy process Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents High efficiency High reliability High pulse handling capability SFH 415: Same package as SFH 300, SFH 203 Applications IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers Remote control of various equipment 1 1997-11-01 SFH 415 SFH 416 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package SFH 415 Q62702-P296 SFH 415-T Q62702-P1136 SFH 415-U Q62702-P1137 SFH 416-R Q62702-P1139 5-mm-LED-Gehause (T 13/4), schwarz eingefarbt, Anschlu im 2.54-mm-Raster (1/10''), Kathodenkennzeichnung: kurzerer Anschlu 5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: short lead Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlastrom Forward current IF 100 mA Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 165 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 415 SFH 416 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms peak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A 55 nm 17 28 Grad deg. Aktive Chipflache Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area LxB LxW 0.3 x 0.3 mm Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 415 SFH 416 H H 4.2 ... 4.8 3.4 ... 4.0 mm mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 tr, tf 0.5 s Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.3 ( 1.5) 2.3 ( 2.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 ( 1) A Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms e 22 mW Semiconductor Group 3 Abstrahlwinkel Half angle SFH 415 SFH 416 Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s 1997-11-01 SFH 415 SFH 416 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA TCI - 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV -2 mV/K Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA TC + 0.3 nm/K Gruppierung der Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Semiconductor Group Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit SFH 415 SFH 415-T SFH 415-U SFH 416-R Ie min Ie max 25 - 25 50 > 40 - > 10 - mW/sr mW/sr Ie typ. - 380 600 150 mW/sr 4 1997-11-01 SFH 415 SFH 416 Relative spectral emission Irel = f () Max. permissible forward current IF = f (TA) Single pulse, tp = 20 s 10 2 A OHRD1938 100 OHR01551 80 10 OHR00883 120 F mA e e 100 mA % rel Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant intensity 100 1 80 60 R thjA = 450 K/W 10 0 60 40 40 10 -1 20 20 0 880 920 960 nm 1000 10 -2 10 -3 1060 Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s 10 1 10 -2 10 -1 10 0 A F 0 10 1 0 20 40 60 80 100 C 120 TA Radiation characteristics SFH 415 Irel = f () 40 OHR01554 30 20 10 A F 0 OHR01552 1.0 50 10 0.8 0 60 0.6 10 -1 70 0.4 80 0.2 10 -2 90 10 -3 100 1 2 3 4 V 1.0 5 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 VF Permissible pulse handling capability IF = f (), TC = 25 C, duty cycle D = parameter Radiation characteristics SFH 416 Irel = f () 40 30 20 10 0 OHR01553 1.0 10 4 tp F mA 5 50 D= tp T D = 0.005 0.8 F T 0.01 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0.02 10 3 5 1.0 0.8 0.6 0.4 Semiconductor Group 0 0.1 0.05 0.2 0.5 0 90 100 OHR00860 20 40 60 80 5 100 120 DC 10 2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp 1997-11-01