Semiconductor Group 1 1997-11-01
Wesentliche Merkmale
●GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
●Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
●Sehr hoher Wirkungsgrad
●Hohe Zuverlässigkeit
●Hohe Impulsbelastbarkeit
●SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
●Gerätefernsteuerungen
Features
●GaAs infrared emitting diodes, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
●Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents
●High efficiency
●High reliability
●High pulse handling capability
●SFH 415: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
●IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
●Remote control of various equipment
GaAs-IR-Lumineszenzdioden
GaAs Infrared Emitters SFH 415
SFH 416
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2
ø5.1
ø4.8
0.8
0.4
0.6
0.4
2.54mm
spacing
5.9
5.5
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Cathode
Approx. weight 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
5.7
5.5
6.9
6.1
4.0
3.4
29.5
27.5
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode) Chip position
GEX06630
Approx. weight 0.4 g
Collector (Transistor)
fex06630 fexf6626
Semiconductor Group 2 1997-11-01
SFH 415
SFH 416
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 415 Q62702-P296 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarz eingefärbt, An-
schluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode
marking: short lead
SFH 415-T Q62702-P1136
SFH 415-U Q62702-P1137
SFH 416-R Q62702-P1139
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF100 mA
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current IFSM 3A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 450 K/W
SFH 415
SFH 416
Semiconductor Group 3 1997-11-01
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 m A
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 415
SFH 416 ϕ
ϕ± 17
± 28 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.09 mm2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.3 ×0.3 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 415
SFH 416 H
H4.2 ... 4.8
3.4 ... 4.0 mm
mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf0.5 µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co25 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.3 (≤ 1.5)
2.3 (≤ 2.8) V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe22 mW
Semiconductor Group 4 1997-11-01
SFH 415
SFH 416
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 2 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ+ 0.3 nm/K
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
SFH
415 SFH
415-T SFH
415-U SFH
416-R
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA,
tp = 20 ms Ie min
Ie max
≥ 25
–25
50 > 40
–> 10
–mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A,
tp = 100 µsIe typ. – 380 600 150 mW/sr
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 415
SFH 416
Semiconductor Group 5 1997-11-01
Relative spectral emission
Irel =f(λ)
Forward current
IF=f (VF), single pulse, tp = 20 µs
OHRD1938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
OHR01554
V
F
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
F
Ι
A
1 2 3 4 V 5
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Ie
Ie100 mA = f(IF)
OHR01551
10
-3
Ι
F
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
Ι
e 100 mA
e
Ι
-2
10
-1
10
0
10
1
10A
A
Max. permissible forward current
IF=f(TA)
OHR00883
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mA
˚C
T
A
= 450 K/W
thjA
R
Radiation characteristics SFH 416 Irel =f(ϕ)
OHR01553
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚0.40.60.81.0
100˚
90˚
80˚
70˚
60˚
50˚
0˚10˚20˚30˚40˚
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
Radiation characteristics SFH 415 Irel =f(ϕ)
OHR01552
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
t
OHR00860
p
-5
10
10
2
Ι
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
Ι
F
t
p
T
D
=
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10s
D
=
